銦錫氧化物(ITO)，是一n-type寬能階(wide band-gap)的半導體材料，其能隙(energy gap)約為4.7eV~5.2eV。由於ITO膜具有較低的電阻率，以及在可見光範圍內有高透光率的特性，近年來被廣泛用在光電應用上，如液晶顯示器(Liquid Crystal Display,LCD)的陽極電極、光電裝置(photovoltaic devices)等。ITO薄膜具良好光電性，能吸收紫外光，在可見光範圍具高穿透率，且能反射紅外光；因薄膜中載子密度高，故廣泛應用於光電元件。
本論文中樣品是以磁控濺鍍法(Magnetron sputtering)，在彩色濾光片(Color Filter, CF)上長一層氧化銦錫薄膜。經過熱處理之後，藉由光譜分析與四點探針，量測薄膜的穿透率與電性；不同熱處理時間對薄膜性質之影響，以預期能改善ITO薄膜的光電性質，找出最好之熱處理的時間與溫度之製程條件。本論文是探討此薄膜在不同退火溫度時間，電性與光性的改變情形。
本論文研究發現，目前業界所使用之退火參數溫度(230℃)時間(44min)並不是最佳之條件，可以加以改善，其中在熱處理時以溫度下降至(200℃)時間縮短至(40min)為最佳，電阻值降低，透光率也增加，在縮短熱處理之時間之後每天產能增加之產能為9.9%。顯微影像圖顯示，在品質上彩色濾光片之均勻性也比行現條件還好，本論文之結果可提供業界重要數據，能增加產線之產能並降低用電力之支出成本。

ITO is a wide band gap semiconductor material, its band gap is from 4.7 eV to 5.2 eV. Due to the low resistivity, high transmittance to visible light, great absorption to UV light, and high reflection to IR, ITO is wide used to photovoltatic application; such as anodic electrode of Liquid Crystal Display (LCD) and photovoltaic devices.
In the thesis, samples are deposited with an ITO layer on color filter (CF) by magnetron sputtering. The conductivity of samples is measured by 4-probe measurement, and the transmittance is characterized by visible spectroscopy. In this work is heat treatment parameters of temperature and annealing time of ITO thin film know been studied, and found an optima condition.
From the experiment results, an optima heat treatment condition is temperature of 200℃for 40 minutes, which reveals lower resistivity and improved transmittance of ITO samples. And, it is less process time and lower treatment temperature to used condition for industry presently. The reducing time of heat treatment will increase 9.9 % production, and enhancing the properties of color filter. Depending on the results of this work, there is space to improve performance and reduce power for fabrication of color filter.

第一章 緒論 1
1-1前言1
1-2研究目的2
第二章 透明導電薄膜原理及特性介紹3
2-1透明導電薄膜之種類 3
2-2銦錫氧化物透明導電薄膜5
2-3透明導電氧化物的成膜技術5
2-4熱處理7
第三章 彩色濾光片原理及特性介紹9
3-1彩色濾光片介紹9
3-2彩色濾光片原理及特性10
3-3材料及特性12
3-4彩色濾光片外觀14
3-5彩色濾光片製作流程 16
第四章 實驗儀器量測原理與實驗步驟介紹19
4-1實驗步驟與鍍膜參數 20
4-1-1實驗步驟20
4-1-2退火處理之參數20
4-2量測儀器介紹21
4-2-1四點探針量測21
4-2-2光譜分析22
4-2-3雷射橢圓偏光儀23
4-2-4光學顯微鏡26
4-2-5繞射儀27
第五章 結果與討論29
5-1ITO退火後電阻率29
5-2ITO退火後薄膜的透光率31
5-2-1不同退火時間薄膜在450nm透光率31
5-2-2不同退火時間薄膜在500nm透光率32
5-2-3不同退火時間薄膜在650nm透光率33
5-3增加ITO退火時間ITO薄膜的性質影響34
5-4ITO膜在光學顯微鏡下表面狀態36
5-5XRD41
第六章 結 論43
參考資料45

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