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博碩士論文 etd-0620102-123716 詳細資訊
Title page for etd-0620102-123716
論文名稱 Title |
回火環境對氮化銦鎵發光強度影響之研究
The study of InGaN illumination intensity affected with post annealing environment |
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系所名稱 Department |
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畢業學年期 Year, semester |
語文別 Language |
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學位類別 Degree |
頁數 Number of pages |
60 |
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研究生 Author |
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指導教授 Advisor |
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召集委員 Convenor |
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口試委員 Advisory Committee |
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口試日期 Date of Exam |
2002-06-19 |
繳交日期 Date of Submission |
2002-06-20 |
關鍵字 Keywords |
氮化銦鎵 InGaN |
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統計 Statistics |
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中文摘要 |
本實驗中將加入AlN與InN powder作為改變退火環境的控制參數，來明瞭InGaN/GaN量子井經過退火後，試片品質及光性與退火環境的關係 |
Abstract |
We will add AlN and InN powder in order to change the post annealing environment. We want to understand the quality and optical properties of InGaN/GaN quantum well undergoing post annealing. |
目次 Table of Contents |
前言 第二章 理論基礎 2.1 薄膜沉積原理 2.2 化學氣相沈積（CVD） 2.3 陰極螢光光譜原理 第三章 實驗方法 3.1 實驗步驟 3.2 試片準備與石英封管 3.3 熱退火處理 3.4 試片的量測與分析 第四章 結果與討論 4.1原子力顯微鏡量測分析 4.2 光致激光光譜量測分析 4.3 陰極發光光譜量測分析 4.4 場發射式掃描式電子顯微鏡分析 4.5 穿透式電子顯微鏡分析 第五章 結論 參考文獻 |
參考文獻 References |
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電子全文 Fulltext |
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