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論文名稱 Title |
溫度及電流對金鋁微接點可靠度之研究--F1、S2新金線
Temperature and bias ffect on wire-bond reliability for F1 & S2 type new wire evaluatione |
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系所名稱 Department |
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畢業學年期 Year, semester |
語文別 Language |
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學位類別 Degree |
頁數 Number of pages |
70 |
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研究生 Author |
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指導教授 Advisor |
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召集委員 Convenor |
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口試委員 Advisory Committee |
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口試日期 Date of Exam |
2003-06-11 |
繳交日期 Date of Submission |
2003-06-24 |
關鍵字 Keywords |
可靠度、金鋁微接點 IC Package, reliability, wire bond |
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統計 Statistics |
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中文摘要 |
塑膠封裝(Plastic packaging)是目前最普遍、快速且經濟的電子構裝方式,目的在施以物理、化學性的保護,期能滿足電性連接、實體支撐、環境抵抗與散熱等功能保護元件線路、防止外力的損害。本實驗所探討為高溫時效下對金鋁微接點電阻特性之影響,以及熱處理環境對金鋁微接點可靠度影響之顯微組織分析兩部份。 在高溫時效下電流效應對金鋁微接點之影響的研究方面,此次研究藉由高溫時效,探討材料在高溫情況下,Au wire與Al pad接合的可靠度(reliability)。亦藉由高溫時效處理,研究材料的擴散行為與封裝樹脂及電流效應對可靠度之影響及期望找出試片在高溫環境下接合的失敗緣由,使元件在wire bond製程方面更臻完美。為確實評估各項參數對接合部位可靠度的影響,此次研究廠商提供了一批IC試片,利用這些試片做不同溫度的時效處理及電阻量測,進一步做真空熱處理及濕氣熱處理等不同熱處理環境的研究,如此一來將可以對半導體封裝有更深入之探討。 |
Abstract |
none |
目次 Table of Contents |
目 錄 壹、 前言-------------------------------------------------------------------------1 1-1、研究背景---------------------------------------------------------------1 貳、 實驗原理-------------------------------------------------------------------3 2-1、金鋁微接點------------------------------------------------------------3 2-2、Au-Al 間介金屬化合物的成長機制------------------------------4 2-3、加速測試---------------------------------------------------------------6 2-4、電性量測---------------------------------------------------------------7 參、 實驗方法-------------------------------------------------------------------8 3-1、高溫時效處理及電流效應對金鋁微接點之影響---------------8 3-1-1、實驗目的---------------------------------------------------------8 3-1-2、試片的分類及時效處理---------------------------------------8 3-1-3、試片製作---------------------------------------------------------9 3-1-4、試片分析--------------------------------------------------------10 肆、 實驗結果------------------------------------------------------------------11 4-1、高溫時效處理對金鋁微接點之影響------------------------------11 4-1-1、高溫時效下金鋁微接點間介金屬化合物相變化分析---11 4-2、預真空前處理100小時後高溫時效熱處理對金鋁微接點之影響-----------------------------------------------------------------------17 4-2-1、高溫時效下金鋁微接點間介金屬化合物相變化分析---17 4-3、絕對溼度85/55℃熱處理100小時後高溫時效熱處理對金鋁微接點之影響--------------------------------------------------------18 4-3-1、高溫時效下金鋁微接點間介金屬化合物相變化分析---18 4-4、真空熱處理後高溫時效處理對金鋁微接點之影響-----------19 4-4-1、高溫時效下金鋁微接點間介金屬化合物相變化分析--19 4-5、高溫時效熱處理對金鋁微接點電阻之變化--------------------20 4-5-1、時效熱處理之電阻結果---------------------------------------20 伍、 討論------------------------------------------------------------------------21 5-1、金鋁微接點-----------------------------------------------------------21 5-1-1、金鋁微接點之相變化------------------------------------------21 5-1-2、金鋁微接點之crack生長模式-------------------------------22 5-2、溫度對金鋁微接點之影響------------------------------------------22 5-3、熱處理環境對金鋁微接點之影響---------------------------------22 5-4、電阻與金鋁微接點morphology之相互關係--------------------24 陸、 結論------------------------------------------------------------------------26 柒、 參考文獻------------------------------------------------------------------28 捌、 圖及圖表------------------------------------------------------------------30 玖、 附錄------------------------------------------------------------------------68 |
參考文獻 References |
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