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博碩士論文 etd-0626103-222655 詳細資訊
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論文名稱
Title
高介電係數薄膜(Ba,Sr)(Ti,Zr)O3之製備及其特性之研究
Fabrication and Characteristics of (Ba,Sr)(Ti,Zr)O3 High Dielectric Constant Thin Films
系所名稱
Department
畢業學年期
Year, semester
語文別
Language
學位類別
Degree
頁數
Number of pages
111
研究生
Author
指導教授
Advisor
召集委員
Convenor
口試委員
Advisory Committee
口試日期
Date of Exam
2003-06-26
繳交日期
Date of Submission
2003-06-26
關鍵字
Keywords
鈦酸鋇鍶鋯
BSTZ
統計
Statistics
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中文摘要
摘要
本論文利用反應性射頻磁控濺鍍法在Pt/SiO2/Si基板上製備(Ba,Sr)(Ti,Zr)O3 (BSTZ)薄膜,並得到最佳的濺鍍條件為濺鍍功率160W、腔室壓力10mTorr、氧氣濃度40%、基板溫度580℃。
在物性研究方面,藉由XRD、SEM與AFM分析,探討BSTZ薄膜於不同濺鍍參數下沈積所得的結果,並討論其介電常數大小及材料特性。在電性方面,亦藉由HP4194A以及HP4156C半導體參數分析儀,分析在不同濺鍍參數下所得的薄膜,其MIM (metal-insulator-metal)結構之漏電流大小,並探討薄膜本身在不同電壓,頻率以及溫度下其介電常數的變化。
由實驗結果得知,在參數最佳化的條件下,薄膜之介電常數約為191,外加電場為0.1MV/cm時,漏電流約為3x10-8A/cm2;同時顯示BSTZ薄膜本身的居禮溫度(Tc)約為20°C,並隨著溫度0~80°C及頻率達到1MHz下其介電常數幾乎無變化。
*研究生 **指導教授

Abstract
ABSTRACT
In this study, the reactive rf magnetron sputtering was used to deposit (Ba,Sr)(Ti,Zr)O3 (BSTZ) thin films on Pt/SiO2/Si substrate. The optimal sputtering parameters were found to be RF power of 160W、sputtering pressure of 10 mTorr、substrate temperature of 580°C and oxygen concentration (O2/O2+Ar) of 40%.
The physical characteristics of BSTZ thin films deposited on Pt/SiO2/Si substrate with different sputtering parameters were obtained by the analyses of XRD, SEM and AFM. The characteristics and dielectric constant of thin films were discussed. The electrical properties of BSTZ thin films using HP4194A and HP4156C semiconductor parameters analyzer were estimated through the measurement of leakage current on MIM structure. The dependences of dielectric constants on applied voltage、frequency and temperature were discussed.
From the experimental results, it reveals that the dielectric constant with optimal sputtering parameters was about 191, and the leakage current of thin film was about 3x10-8 A/cm2 when the applied electrical field of thin film was at 0.1 MV/cm. Besides, the Curie temperature (Tc) of BSTZ thin film was confirmed to be about 20°C and the dielectric constants of BSTZ thin films exhibited little change under different temperature(0~80°C) and frequency (~1MHz).
* student ** advisor

目次 Table of Contents
目錄
摘要 I

目錄 III

圖表目錄 VII

第一章 前言 1

第二章 理論 5
2.1 鈦酸鋇系(BaTiO3)陶瓷材料 5
2.1.1 鈦酸鋇(BaTiO3)之結構與特性 5
2.1.2 雜質的摻雜對鈦酸鋇(BaTiO3)特性的變化 6
2.2 介電理論 6
2.2.1 介電極化和極化機構 6
2.2.2 介電損失 8
2.3.3 漏電流 9
2.3 薄膜沈積原理 10
2.3.1 沈積現象 10
2.3.2 薄膜表面及截面結構 11
2.4 反應性射頻磁控濺鍍原理 11
2.3.1 直流輝光放電 11
2.3.2 磁控濺射 12
2.3.3 射頻濺射 12
2.3.4 反應性濺射 13

第三章 實驗 15
3.1 矽基板的清洗方法 15
3.2 靶材製作 16
3.3 濺鍍系統與薄膜沈積 16
3.4 X光繞射 (X-Ray Diffraction, XRD) 分析 18
3.5 掃描式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscopy, SEM)分析 19
3.6 膜厚量測 19
3.7 原子力顯微鏡(Atomic Force Microscopy, AFM)分析 19
3.8 高介電薄膜的製作 20
3.9 光學顯微鏡分析 21
3.10 薄膜電性測量 21





第四章 結果與討論 23
4.1 氧氣濃度之影響 23
4.1.1 XRD分析 23
4.1.2 SEM分析 24
4.1.2薄膜沈積速率分析 24
4.2 基板溫度之影響 25
4.2.1 XRD分析 25
4.2.2 SEM分析 25
4.2.2薄膜沈積速率分析 26
4.3 濺鍍功率之影響 26
4.3.1 XRD分析 26
4.3.2 SEM分析 27
4.3.2薄膜沈積速率分析 27
4.4 腔室壓力之影響 28
4.4.1 XRD分析 28
4.4.2 SEM分析 29
4.4.2薄膜沈積速率分析 29
4.5 濺鍍參數對薄膜電性之影響 30
4.5.1電壓-介電率特性 30
4.5.2電壓-電流特性 31
4.5.3溫度-介電率之特性 32
4.5.4頻率-介電率之特性 32
4.5.5材料特性與元件電性之最佳化 33
4.6 沈積時間之影響 34
4.6.1 XRD分析 34
4.6.2 SEM分析 34
4.6.3原子力顯微鏡(AFM)分析 35
4.6.4電壓-介電率特性 35
4.6.5電壓-電流特性 35
4.6.6溫度-介電率之影響 36
4.6.7頻率-介電率之影響 36

第五章 結論 37

參考文獻 39











圖 表 目 錄
圖1-1 DRAM的發展趨勢 45
圖1-2 DRAM的記憶晶胞(Memory Cell)電路圖 46
圖2-1 BaTiO3當溫度高於居里溫度時的理想鈣鈦礦結構示意圖 47
圖2-2 BaTiO3當溫度低於居里溫度時,鈦離子偏移示意圖 47
圖2-3 BaTiO3晶體結構示意圖 48
圖2-4 BaTiO3晶格常數隨溫度變化之關係 49
圖2-5 等價置換對BaTiO3相轉換溫度之影響 49
圖2-6 不同極化機構之示意圖 50
圖2-7 不同分極率與頻率之關係圖 51
圖2-8 (a)介電材料內充電電流與損失電流示意圖(b)介電材料等效電路示意圖 52
圖2-9 Barrier limited 傳導機構(a)Schottky emission, (b) tunneling 53
圖2-10 Bulk limited 傳導機構(a)空間電荷限制傳導, (b)離子傳導, (c)Poole-Frenkel 53
圖2-11 薄膜沈積步驟,(a)長晶、(b)晶粒成長、(c)晶粒聚結、(d)縫道填補、(e)薄膜的沈積 54
圖2-12 濺鍍參數對沈積薄膜之影響 54
圖2-13 直流輝光放電結構與電位分佈圖 55
圖2-14 平面型圓形磁控之結構圖 56
圖2-15 平面磁控結構及電子運動路經 56
圖2-16 反應性濺射之模型 57
圖3-1 射頻磁控濺鍍系統構造圖 58
圖3-2 射頻磁控濺鍍系統操作之流程圖 59
圖3-3 Al/BSTZ/Pt 薄膜電性量測示意圖 60
圖3-4 頂部電極所用之金屬遮罩圖 61
圖3-5 (Ba,Sr)(Ti,Zr)O3靶材製作流程 62
圖4-1 不同氧氣濃度下沈積BSTZ薄膜之XRD圖;固定條件為腔室壓力5mtorr、濺鍍功率100W、基板溫度500℃、沈積時間1hr 63
圖4-2 不同氧氣濃度下沈積BSTZ薄膜之SEM圖;固定條件為濺鍍功率100W、腔室壓力5mtorr、基板溫度500℃、沈積時間1hr 64
圖4-3 不同基板溫度下沈積BSTZ薄膜之XRD圖;固定條件為腔室壓力5mTorr、濺鍍功率100W、氧氣濃度25﹪、沈積時間1hr 65
圖4-4 不同基板溫度下沈積BSTZ薄膜之SEM圖;固定條件為濺鍍功率100W、氧氣濃度25﹪、腔室壓力5mtorr、沈積時間1hr 66
圖4-5 不同濺鍍功率下沈積BSTZ薄膜之XRD圖;固定條件為腔室壓力5mTorr、氧氣濃度25﹪、基板溫度580℃、沈積時間1hr 67
圖4-6 不同濺鍍功率下沈積BSTZ薄膜之SEM圖;固定條件為腔室壓力5mTorr、氧氣濃度25﹪、基板溫度580℃、沈積時間1hr 68
圖4-7 不同腔室壓力下沈積BSTZ薄膜之XRD圖;固定條件為氧氣濃度25%、濺鍍功率160W、基板溫度580℃、沈積時間1hr 69
圖4-8 不同腔室壓力下沈積BSTZ薄膜之SEM圖;固定條件為氧氣濃度25﹪、濺鍍功率160W、基板溫度580℃、沈積時間1hr 70
圖4-9 BSTZ薄膜的介電常數對濺鍍條件: (a)氧氣濃度,(b)基板溫度,(c)濺鍍功率,(d)腔室壓力之變化圖;沈積時間1hr 71
圖4-10 BSTZ薄膜的沈積厚度對濺鍍條件:(a)氧氣濃度,(b)基板溫度,(c)濺鍍功率,(d)腔室壓力之變化圖;沈積時間1hr 72
圖4-11 不同氧氣濃度下沈積BSTZ薄膜之介電常數隨外加電壓變化關係圖;固定條件為腔室壓力5mTorr、濺鍍功率100W、基板溫度500℃、沈積時間1hr 73
圖4-12 不同基板溫度下沈積BSTZ薄膜之介電常數隨外加電壓變化關係圖;固定條件為腔室壓力5mTorr、濺鍍功率100W、氧氣濃度25%、沈積時間1hr 74
圖4-13 不同濺鍍功率下沈積BSTZ薄膜之介電常數隨外加電壓變化關係圖;固定條件為腔室壓力5mTorr、基板溫度580℃、氧氣濃度25%、沈積時間1hr 75
圖4-14 不同腔室壓力下沈積BSTZ薄膜之介電常數隨外加電壓變化關係圖;固定條件為濺鍍功率160W、基板溫度580℃、氧氣濃度25%、沈積時間1hr 76
圖4-15 不同氧氣濃度下沈積BSTZ薄膜之電流密度隨外加電場變化關係圖;固定條件為腔室壓力5mTorr、濺鍍功率100W、基板溫度500℃、沈積時間1hr 77
圖4-16 不同基板溫度下沈積BSTZ薄膜之電流密度隨外加電場變化關係圖;固定條件為腔室壓力5mTorr、濺鍍功率100W、氧氣濃度25%、沈積時間1hr 78
圖4-17 不同濺鍍功率下沈積BSTZ薄膜之電流密度隨外加電場變化關係圖;固定條件為腔室壓力5mTorr、基板溫度580℃、氧氣濃度25%、沈積時間1hr 79
圖4-18 不同腔室壓力下沈積BSTZ薄膜之電流密度隨外加電場變化關係圖;固定條件為濺鍍功率160W、基板溫度580℃、氧氣濃度25%、沈積時間1hr 80
圖4-19 在不同的濺鍍功率下BSTZ薄膜之介電常數對操作溫度的變化圖;固定條件為基板溫度580℃、氧氣濃度25%、腔室壓力5mtorr、沈積時間1hr 81
圖4-20 在不同的濺鍍功率下1hrBSTZ薄膜之介電常數對操作頻率的變化圖;固定條件為基板溫度580℃、氧氣濃度25%、腔室壓力5mtorr、沈積時間 82
圖4-21 不同沈積時間下,BSTZ薄膜之XRD圖;固定條件為腔室壓力10mTorr、濺鍍功率160W、基板溫度580℃、氧氣濃度40% 83
圖4-22 不同沈積時間下,BSTZ薄膜之SEM圖;固定條件為濺鍍功率160W、氧氣濃度40﹪、基板溫度580℃、腔室壓力10mtorr 84
圖4-23 BSTZ薄膜之SEM剖斷面顯微結構圖;其固定條件為濺鍍功率160W、氧氣濃度40﹪、基板溫度580℃、腔室壓力10mtorr、沈積時間1小時 85
圖4-24 在固定條件為腔室壓力10mTorr、濺鍍功率160W、基板溫度580℃、氧氣濃度40%下,沈積BSTZ薄膜之介電常數與損失因子隨,(a)沈積時間,及(b)晶粒大小,之變化關係圖 86
圖4-25 在固定條件為腔室壓力10mTorr、濺鍍功率160W、基板溫度580℃、氧氣濃度40%下,BSTZ薄膜之沈積厚度隨沈積時間變化關係圖 87
圖4-26 不同沈積時間下,BSTZ薄膜之AFM圖;固定條件為濺鍍功率160W、腔室壓力10mTorr、氧氣濃度40﹪、基板溫度580℃ 88
圖4-27 不同沈積時間下,BSTZ薄膜之介電常數隨外加電壓變化關係圖;固定條件為濺鍍功率160W、基板溫度580℃、氧氣濃度40%、腔室壓力10mtorr 89
圖4-28 不同沈積時間下,BSTZ薄膜之電流密度隨外加電場變化關係圖;固定條件為濺鍍功率160W、基板溫度580℃、氧氣濃度40%、腔室壓力10mtorr 90
圖4-29 沈積時間90mins下,BSTZ薄膜之漏電流機制;固定條件為濺鍍功率160W、基板溫度580℃、氧氣濃度40%、腔室壓力10mtorr 91
圖4-30 在不同的沈積時間下BSTZ薄膜之介電常數對操作溫度的變化圖;固定條件為濺鍍功率160W、基板溫度580℃、氧氣濃度40%、腔室壓力10mtorr 92
圖4-31 在不同的沈積時間下BSTZ薄膜之介電常數對操作頻率的變化圖;固定條件為濺鍍功率160W、基板溫度580℃、氧氣濃度40%、腔室壓力10mtorr 93
表一 BaTiO3系列薄膜特性 94
表二 反應性射頻濺鍍系統沈積(Ba,Sr)(Ti,Zr)O3薄膜之濺鍍參數 95
表三 反應性射頻濺鍍系統沈積白金薄膜之濺鍍參數 96
表四 XRAY DATAS OF BSTZ POWDER 97
表五 BSTZ薄膜之參數最佳化 98

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