具鈣鈦礦結構之超巨磁阻材料自1950年代發現已來即備受矚目。然超巨磁阻僅發生於極高的磁場(數tesla)，遠高於一般應用時數十高斯之低場，因此，如何降低低場下磁阻的訊號是未來主要課題之一。
藉由在超巨磁阻薄膜之微橋下植入質子，將會提昇低場之磁阻效應(low-field MR)，以之與未植入質子者進行電性、磁性之比較，植入後之
薄膜其阻值變高且轉換溫度變低。在低場磁阻效應方面亦有明顯之結果，
藉由霍爾電壓的量測，探討載子之型態及濃度。霍爾磁阻效應確實比縱向
MR效應來的明顯!以下為各章節的簡要描述：

第一章 簡介實驗的目的及其預期成果。
第二章 介紹巨磁阻材料之基本理論包括DE、JT、Spin-polarization tunneling，及霍爾電壓的量測。
第三章 列舉實驗程序。
第四章 實驗的結果與討論，包含電性、磁阻效應及霍爾磁阻效應等等。
第五章 最後的結論。

The low-field magnetoresistance of colossal magnetic thin film can be enhanced by proton implantation.
Compare with the as grown sample, the implantation samples has lower transition temperature and
higher resistivity. By the hall measurement, we can get the carrier type and carrier concentration.
The hall magnetoresistance (MRH) is much greater than the longitude magnetoresistance (MR).

Chapter 1. Introduce experiment purpose and expected results.
Chapter 2. Introduce the basic theorem of colossal magnetic materials.
Chapter 3. The steps of experiment.
Chapter 4. Results and discussion.
Chapter 5. The conclusion.

第一章 簡介…………………………………………………………..1
第二章 基本理論……………………………………………………..8
2-1 磁性簡介………………………………………………..8
2-2 雙重交換交互作用……………………………………..13
2-3 Jahn-Teller Distortion……………………………………16
2-4 自旋極化穿隧(spt)…………………………………..19
2-5 霍爾電壓量測………………………………………….21
第三章 實驗方法…………………………………………………….23
3-1 樣品製作……………………………………………….24
3-2電性量測………………………………………………..27
3-3模擬質子植入…………………………………………..28
3-4 質子植入……………………………………………….29
3-5 恆溫下之低場MR量測………………………………..30
3-6 恆溫下之低場霍爾電壓量測………………………….33
第四章 結果分析與討論…………………………………………….35
4-1 質子植入……………………………………………….35
4-2電性量測………………………………………………..38
4-3 低場MR量測……………………………………………40
4-4 橫向霍爾電壓量測…………………………………….42
第五章 結論………………………………………………………….60
參考資料……………………………………………………………….61

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