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論文名稱 Title |
ZnS0.06Se0.94/Zn0.8Cd0.2Se量子井在低溫高磁場下的研究 Transport studies in ZnS0.06Se0.94/Zn0.8Cd0.2Se quantum well at low temperature and high magnetic field |
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系所名稱 Department |
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畢業學年期 Year, semester |
語文別 Language |
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學位類別 Degree |
頁數 Number of pages |
69 |
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研究生 Author |
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指導教授 Advisor |
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召集委員 Convenor |
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口試委員 Advisory Committee |
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口試日期 Date of Exam |
2000-06-22 |
繳交日期 Date of Submission |
2000-06-29 |
關鍵字 Keywords |
二維電子氣、負持續光導效應、正持續光導效應 PPPC, 2DEG, NPPC |
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統計 Statistics |
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中文摘要 |
在本論文中,我們使用SdH(Shubnikov-de hass)的方法來量測ZnS0.06Se0.94/Zn0.8Cd0.2Se之二維電子氣在低溫高磁場下的電子效應,也提到以PL量測的方式去求得ZnS0.06Se0.94/Zn0.8Cd0.2Se 樣品在溫度趨近於零時的能階差。雖然在這次的實驗沒有觀察到樣品的持續光導效應,不過這次實驗特別的地方是我們能將溫度降至0.03K,這樣使得我們能見到更多的SdH的圖形,如此的低溫使我們以後可以更精準的算出電子濃度與電子的有效質量。 |
Abstract |
We measure the effect of two-dimensional electron gas in ZnS0.06Se0.94/Zn0.8Cd0.2Se at low temperature and high magnetic field by SdH measurement. We find the energy gap of ZnS0.06Se0.94/Zn0.8Cd0.2Se When it tends toward 0K by PL measurement. Although we did not observe the persistent photo-conductivity effect in this experiment , it is especially that we can lower temperature at 0.03K. In the low temperature, we can observe more figures of SdH and acquire more exact information of electron concentration and effective mass in the future. |
目次 Table of Contents |
第一章 前言…….1 1- 1實驗的基本條件……2 1- 2半導體異質結構…..3 1- 3二維電子氣的特性…..4 第二章 理論…….6 2-1-1正持續光導效應…..6 2-1-2負持續光導效應 …….6 2-2 Shubnikov-de Hass 效應 2- 3量子霍爾效應…….11 第三章 實驗儀器簡介……..12 3- 1杜瓦瓶的主要構造及功能…….12 3-2Dilution管路………16 3-3pump抽氣管路……18 3-3-1Rotary pump……….18 3-3-2 3He Rotary pump……….18 3-4回收管路…..18 3-5控制軟體的的程式設計………..19 3-6電源供應器與萬用電表……21 3-7電流計鎖相放大器與萬用電表…….22 3-8示波器…….23 第四章 實驗步驟……….27 4-1Sample 的處理步驟…….27 4-2降溫的步驟……..29 第五章 實驗樣品與實驗方式……..37 5-1-1 實驗樣品……….37 5-1-2樣品結構……..40 5-2實驗方式…….41 第六章 實驗結果與討論………43 6-1實驗結果……..43 6-2實驗討論與建議………45 References……56 第七章 PL量測……….58 7-1pl簡介…….58 7-2Vaishni equation………..59 7-3實驗數據與分析方式………….59 7-4實驗結果………..60 7-4-1大峰值的實驗結果………61 7-4-2小峰值的實驗結果………..61 References-a………69 |
參考文獻 References |
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