論文使用權限 Thesis access permission:校內立即公開,校外一年後公開 off campus withheld
開放時間 Available:
校內 Campus: 已公開 available
校外 Off-campus: 已公開 available
論文名稱 Title |
應用電子束微影術於電制吸收光調變器之研製 Application of Electron-Beam Lithography to the Fabrication of Electroabsorption Modulators |
||
系所名稱 Department |
|||
畢業學年期 Year, semester |
語文別 Language |
||
學位類別 Degree |
頁數 Number of pages |
52 |
|
研究生 Author |
|||
指導教授 Advisor |
|||
召集委員 Convenor |
|||
口試委員 Advisory Committee |
|||
口試日期 Date of Exam |
2003-06-18 |
繳交日期 Date of Submission |
2003-06-30 |
關鍵字 Keywords |
電子束微影術、電制吸收式調變器 Electron-Beam Lith, Electroabsorption modulators |
||
統計 Statistics |
本論文已被瀏覽 5686 次,被下載 2952 次 The thesis/dissertation has been browsed 5686 times, has been downloaded 2952 times. |
中文摘要 |
摘要 由於近幾年半導體的蓬勃發展,傳統的光學微影術已無法滿足最小線寬的需求。因此,電子束微影術是突破此瀕頸的關鍵技術之一。在我們的元件設計中,第一道製程使用了電子束微影術,以達到小於一微米寬度的波導。藉此用以降低調變器的電容值,並調整傳輸線的長度,降低電壓反射係數,以達到高速操作的需求。 由於我們自行架設電子束微影術的系統,所以我們設計了三種圖案來測試最好的線寬,以求在第一道製程上可達到最好的解析度。我們同時使用3%或2%PMMA溶解於苯甲醚中,來測試小於100nm的線寬,而我們也成功用自行架設的機台定義出100nm線寬的圖案。 在元件的製程上,我們使用乾式蝕刻,蝕刻出脊形波導的形狀。且以高分子材料將波導兩邊平坦化,再將傳輸線的上電極和信號的墊板鍍在高分子材料之上。並用特殊的斜坡腐蝕法,把接地平板引到與信號墊板相同的高度,以利於使用coplanar microwave probe直接在晶片上進行高頻的測試。 |
Abstract |
none |
目次 Table of Contents |
目錄 第一章 緒論…………………………………………………………….1 1-1. 前言………………………………………………………..1 1-2. 應用電子束微影術於0.8μm 脊狀波導的製做………..1 1-3. 電制吸收光調變器的特性優點…………………………..1 1-4. 論文架構…………………………………………………..2 第二章 儀器架構及原理………………………………………………..3 2-1電子束微影術的原理…………………………………….3 2-1-1.歷史背景 …………...…………………………...3 2-1-2.基本原理…………..…………………...………..…3 2-1-3.儀器架構…………………………………………4 2-1-4.Proximity Effect…….………………………5 2-2電子束微影術的實驗結果……………………….7 2-2-1.使用TOPCON SM350所實驗的結果 ……….…...7 2-2-2.使用JEOL JSM840A所實驗的結果……………..…12 第三章 電致吸收光調變器的原理與設計……………………………16 3-1. 電制吸收光調便器的基本原理….……………………16 3-1-1背景……..………..…………………………….16 3-1-2載子躍遷…….…..………………………….16 3-1-3量子侷限史塔克效應(QCSE)………… 3-2 微帶線(Microstrip Line)………………………18 3-3. 電路設計與模擬結果…………………………………23 第四章 元件製程………………………………………………………34 4-1. 製程示意圖……………...……………………………….34 4-2. 光調制器之製程步驟與實驗結果………...…………….39 第五章 結論………………………………………………………51 參考文獻………………….…………………………………………52 |
參考文獻 References |
[1] F. Murai, J. Yamamoto, H. Yamaguchi, S. Okazaki, K. Sato, and H. Hayakawa, “High-speed single-layer-resist process and energy- dependent aspect rations for 0.2μm electron beam lithography” , J. Vac. Sci. Technol., B12, 3874(1994) [2] G. Bastard, E. E. Mendez, L. L. Chang, and L. Esaki, “Variational calculations on a quantum well in an electric field” , Physical Review B, Vol.28, No.6, pp.3214-3245, 1983. [3] Samuel Y. Liao, Microwave devices and circuits, 2nd ed. pp.472, Prentice Hall, 1990. [4] Samuel Y. Liao, Microwave devices and circuits, 2nd ed. pp.473-474, Prentice Hall, 1990. [5] I. J. Bahl and R.Garg, “Simple and Accurate Formulas for a Microstrip with Finite Strip Thickness,” IEEE Proceedings Letters, Vol.65, pp.1611-1612, 1977. [6] M. J. Mondary, D. I. Babic, J. E. Bowers, and L. A. Coldren, “Refractive Indexes of ( Al, Ga, In ) As Epilayers on InP for Optoelectronic Applications, ” IEEE Photonic Technology Letters, Vol. 4, pp 627-630, 1992. |
電子全文 Fulltext |
本電子全文僅授權使用者為學術研究之目的,進行個人非營利性質之檢索、閱讀、列印。請遵守中華民國著作權法之相關規定,切勿任意重製、散佈、改作、轉貼、播送,以免觸法。 論文使用權限 Thesis access permission:校內立即公開,校外一年後公開 off campus withheld 開放時間 Available: 校內 Campus: 已公開 available 校外 Off-campus: 已公開 available |
紙本論文 Printed copies |
紙本論文的公開資訊在102學年度以後相對較為完整。如果需要查詢101學年度以前的紙本論文公開資訊,請聯繫圖資處紙本論文服務櫃台。如有不便之處敬請見諒。 開放時間 available 已公開 available |
QR Code |