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博碩士論文 etd-0630103-153935 詳細資訊
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論文名稱
Title
溫度、電流及氯離子對金鋁微接點可靠度之研究
Temperature, Bias Effect and Chloride Ion on Wire-Bond Reliability
系所名稱
Department
畢業學年期
Year, semester
語文別
Language
學位類別
Degree
頁數
Number of pages
74
研究生
Author
指導教授
Advisor
召集委員
Convenor
口試委員
Advisory Committee
口試日期
Date of Exam
2003-06-11
繳交日期
Date of Submission
2003-06-30
關鍵字
Keywords
氯離子、金鋁微接點
wire-bond, Chloride Ion
統計
Statistics
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中文摘要
IC封裝就是從晶圓上切割下來的晶片經過處理後,以塑膠或陶瓷等材料,將IC包覆在其中。而封裝的功能主要在於將晶片極度密集的接點轉成標準的接點,使得IC方可做實地測試,亦可達到保護晶片及接線。而金線打在晶片上的接合好壞會影響整個IC是否正常運作,如果其中有一個接點損壞,將造成整個元件失效,而導致機件部份功能喪失,甚至無法運作,所以提高電子構裝的可靠度是很重要的。
本實驗將探討溫度、電流及氯離子對金鋁微接點可靠度之影響。在溫度的影響部份,由於試片在高溫時效處理過程中,Au-wire與Al-pad會反應形成的介金屬化合物,其演化過程會伴隨一些空孔的形成,是將造成微接點處與金線是否剝離。因此部份的研究,將探討不同wire的金鋁微接點處介金屬化合相的演化與空孔形成機制。在電流的影響部份,將探討高溫時效處理過程中其介金屬化合相的演化所伴隨著電阻值改變的分析,及電流效應對金鋁微接點的影響。在氯離子的影響部份,將探討氯離子對金鋁微接點處的介金屬化合相所造成的腐蝕行為,以釐清微接點受到破壞的反應機制。另外此次研究亦將比較在真空狀態下,其反應機制是否正常狀態下有所差異,進而探討及說明之。


Abstract
none

目次 Table of Contents
目錄
壹、前言 1
1-1 研究背景 1
1-2 金鋁微接點的接合方式 1
1-3 Au-Al間介金屬化合物的微觀組織 2
1-4 Au-Al間介金屬化合物的成長機制 2
1-5 金鋁微接點的退化機制 3
1-6 封裝樹脂對金鋁微接點的顯微組織影響 3
1-7 金鋁微接點的接合參數 4
1-8 電性的量測 4
1-9 研究方向 4
貳、實驗方法 5
2-1 高溫對金鋁微接點的影響 5
a. 實驗目的 5
b. 試片分類及時效處理 5
c. 試片製作 5
d. 試片分析 6
2-2 電流對金鋁微接點的影響 6
a. 實驗目的 6
b. 電阻的量測 6
2-3 氯離子對金鋁微接點的影響 7
a. 實驗目的 7
b. 試片分類及時效處理 7
c. 試片製作 8
d. 試片分析 8
參、結果 9
3-1 高溫對金鋁微接點的影響 9
a. 真空與正常狀態高溫時效處理對純金線金鋁微接點的影響 9
b. 高溫時效處理對新金線金鋁微接點的影響 10
3-2 電流對金鋁微接點的影響 11
a. 電阻的量測 11
b. 電流效應的影響 12
3-3 氯離子對金鋁微接點的影響 12
a. H試片遭氯離子腐蝕的結果 12
b. 氯離子侵蝕N試片的結果 12
肆、討論 14
4-1 高溫對金鋁微接點的影響 14
a. 真空與正常狀態高溫時效處理對純金線金鋁微接點的影響 14
b. pure gold wire和new gold wire在高溫時效處理後的比較 14
c. 金鋁微接點在高溫時效處理介金屬化合相的演化 15
4-2 電流對金鋁微接點的影響 17
a. 電阻的量測 17
b. 電流效應的影響 18
4-3 氯離子對金鋁微接點的影響 18
a. H試片遭氯離子腐蝕的影響 18
b. N試片受氯離子腐蝕的影響 19
c. 氯離子的腐蝕機制 19
d. 氯、溴離子對金鋁微接點所造成影響的差異性 20
e. 氯化鈉與氯係阻燃劑對金鋁微接點所造成影響的差異性 20
f. H試片和N試片遭氯離子腐蝕的比較 21
伍、結論 22
陸、參考文獻 24
柒、圖 27
捌、附錄 69
參考文獻 References
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