順偏0.5Ｖ時，光譜在能量約為1.8eV之後，與其他偏壓的光譜比較， 躍遷訊號明顯偏弱，由Airy Function漸近式與樣品本身討論之。

We discove the decrement,comparing the Electroreflectance spectroscopy of theforward biased voltage is 0.5V after the photon energy is 1.8eV.We discuss the case from Asymptotic form and the sample.

第一章 簡介……………………………………1
第二章 調制光譜原理
介電函數與反射率……………………8
電子躍遷與吸收係數……..…………12
第三章 譜線圖形分析
電場調制……………...…….............16
FKO theory與漸近式...…………….22
數據分析..............…....……………..26
第四章 實驗設計
實驗樣品......................……………..33
實驗裝置.....................…….………..35
第五章 實驗結果與討論
不同偏壓下弱電場調制光譜.............39
順向偏壓 躍遷訊號衰減……….....42
第六章 結論………………………….…..….51
參考文獻…………………………………..…...52

圖表目錄

圖1.1 (a)Si(間接半導體)和(b)GaAs(直接半導體)的能階結構.......5圖1.2直接能隙半導體的能帶邊緣結構的簡化圖.................................7
圖2.1空氣與材料介面處入射波、透射波及反射波的示意圖......8圖2.2 Seraphin coefficient對能量作圖.....................11
表3.1不同外加調制電壓的譜圖.............……………………16
圖3.1(a) 禁止能帶中電子穿遂情況..............................19
圖3.1(b) 光助穿遂..................................………..20圖3.1(c)吸收光子的情形 …………………………………...21
圖3.2 利用Airy function繪製Franz-Keldysh 線形函數 ， 的圖25
圖3.3(a) 量測的ER圖形............................……….28
圖3.3(b) 對 作圖..................................…….29
圖3.3(c)　FFT圖形…………………….....................................……...30
圖(3.4) 砷化鎵GaAs的能帶圖……..........…………………………....32
圖(4.1)_樣品結構圖..............................…..…....…..33
圖(4.2a) (4.2b)_蕭基接觸V-I曲線圖與歐姆接觸V-I曲線圖.............…...35
圖4.3 電壓調制反射光譜實驗儀器裝置圖........................…………..37
圖4.4 不同偏壓條件下的樣品能帶圖..........................................……38
圖5.1(a)　不同偏壓( )下弱電場（ ）調制光譜圖.…39
圖5.1(b) FFT後得到的圖形……....................................……………40
表5.1相對於重電洞的表面電場.........................................………….40
圖5.2 電場對不同偏壓作圖………………….....................................41
圖5.3偏壓分別為0.5V、0V與-0.4V的調制光譜圖……..………...42
圖5.4至圖5.6 不同 值模擬電場調制的介電函數變化圖...…43,44
圖5.7 電場F對x示意圖...................................45
表5.2濃度為 表面電場............................46
圖5.8 的ER光譜.................................48
圖5.9　光能量對 作圖.......................................................48

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