本實驗利用感光高分子製作全像儲存材料，藉由有機單體MA與光起始劑IRGACURE 784混入有機基材PMMA中，且加入高折射率物質提高材料本身折射率，將製備好的材料利用IR得知材料單體的聚合情形以及碳碳雙鍵消耗率，再利用兩道同調性的DPSS 532 nm綠光雷射在繞射元件上發生建設性干涉，使吸收特定波長能量的光起始劑IRGACURE 784產生自由基與有機單體開始聚合並寫入光柵。並利用He-Ne 633 nm紅光雷射入射寫入光柵後的繞射元件上，進一步得到繞射光強度，計算繞射元件之繞射效率，進而了解繞射元件本身記錄資訊的能力、與反應時間以及角度選擇性量測，最後使用原子力顯微鏡進一步得知材料表面形貌。

In this study, using poly(methyl methacrylate) (PMMA) as an organic substrate for holographic storage material is presented. The monomer and photo initiator is filled into the substrate. To increase the refraction index of our materials, the high refractive index species is filled into the materials as well. The 532 nm laser is used to recorded interference fringes on the holographic optical storage materials. Performance of the diffraction efficiency is evaluated. To observe the degree of polymerization, the FTIR is employed as well.

目錄
論文審定書 i
摘要 ii
Abstract iii
目錄 iv
表目錄 vi
圖目錄 vii
第一章緒論 1
1-1前言 1
1-2研究動機 3
第二章理論基礎與文獻回顧 4
2-1 全像術簡介 4
2-2 全像干涉理論 4
2-3 體積全像與薄全像之分類 6
2-4 光學性質 8
2-4-1 穿透率 8
2-4-2 繞射效率計算方法 8
2-4-3 角度選擇性 9
2-5 全像感光儲存材料 10
2-5-1 鹵化銀材料 10
2-5-2重鉻酸鹽明膠材料 10
2-5-3 光折變材料 11
2-5-4 感光高分子 11
2-5-4-1 感光高分子種類 12
2-6 光聚合原理 13
2-6-1 光聚合反應 13
2-6-2 光柵形成 14
2-6-3 HRIS效應 16
2-6-4 單體 17
2-6-5 光起始劑 17
第三章實驗方法及步驟 19
3-1 使用藥品 19
3-2 實驗內容 20
3-2-1全像感光儲存材料 20
3-2-2 全像干涉的記錄與讀取 21
3-3 儀器使用 24
3-3-1光學顯微鏡 (Optical Microscopy, OM) 24
3-3-2原子力顯微鏡 (Atomic force microscopy, AFM 24
3-3-3傅立葉紅外線光譜儀(Fourier Transform Infrared Spectrometer, FT-IR) 25
3-3-4薄膜特性分析儀(N & K analyzer) 25
第四章結果與討論 26
4-1 FT-IR傅立葉紅外光譜分析 26
4-2全像光學儲存材料光學性質分析 29
4-2-1 不同比例的單體(MA)，繞射效率與時間的關係 29
4-2-2 各階繞射光強度 34
4-3 PMMA全像干涉之分析 35
4-4不同比例的單體(MA)及高折射率物質，繞射效率與時間的關係 36
4-4-1各階繞射光強度 43
4-5 n&k薄膜分析儀 45
4-6 角度選擇性 45
4-7 全像儲存材料表面形貌分析 48
4-7-1 不同比例的 MA及HRIS下，材料在光學顯微鏡 (OM)分析 48
4-7-2 原子力顯微鏡分析 49
第五章結論 51
參考文獻 52

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