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博碩士論文 etd-0702113-101424 詳細資訊
Title page for etd-0702113-101424
論文名稱
Title
氧化鋅摻鈷稀磁性半導體之物性研究
The study of Physical Properties of Dilute Magnetic Semiconductor of Cobalt doped ZnO
系所名稱
Department
畢業學年期
Year, semester
語文別
Language
學位類別
Degree
頁數
Number of pages
145
研究生
Author
指導教授
Advisor
召集委員
Convenor
口試委員
Advisory Committee
口試日期
Date of Exam
2013-07-26
繳交日期
Date of Submission
2013-09-12
關鍵字
Keywords
濺鍍、X光光電子能譜、氧空缺、稀磁性半導體、氧化鋅
Sputtering, XPS, oxygen vacancies, ZnO, DMS
統計
Statistics
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中文摘要
氧化物摻雜過渡金屬及引入適當缺陷,可以在室溫引發鐵磁交互作用,成為室溫稀磁性氣化物;只是這兩者如何產生鐵磁耦的機制尚未完全明瞭。一般而言,載子媒介磁耦合是目前大家較能接受的看法。在金屬態時,濃密的電子雲藉由RKKY遠程交互作用媒介磁耦合;在絕緣態時,則由不能自由移動的少數跼域電子,在有限的束縛半徑內媒介磁耦合。但許多處於半導體狀態中的載子如何媒介磁耦合、磁矩由誰提供及摻雜的過鍍金屬的角色又為何,依然是個謎。
本研究目標在於研究如何在摻鈷氧化鋅材料中製造可重覆之氧缺陷,以及成長一系列不同氧缺陷濃度的樣品,研究氧缺陷和室溫鐵磁之關係。
本研究使用固態反應合成法(Solid State Reaction)在860℃合成Zn0.95Co0.05O靶材。以高週波濺鍍機(sputter)在室溫及不同氫/氬氣(H2/Ar)比例中成長薄膜,使薄膜具有不同程度的氧空缺(VO)。吾人發現真空腔體的基礎真空對實驗我可重覆性很重要,經一系列修正,系統真空度達<1x10-7 Torr後樣品重覆性佳後,實驗才正式開始。成長之薄膜在空氣中快速劣化,為求立即探明薄膜之基本特性,以三用電表量測電阻及光學穿透光譜量測光學特性。成長於高H2﹪氣份之薄膜的電阻值較低,穿透率較佳,而光學能隙變大,可能是由於Burstein-Moss effect所致。氧缺陷的含量則因限於貴儀預約時間不定,X光電子光譜(XPS)量測常常距離成長有段時間(至少一週),故以薄膜層中間的讀數為比較的基礎,再由該數據計算有效氧缺陷比,發現與H2﹪的含量有些差距,顯示系統還有不可忽略的些微不可控制性,而最可靠的數據必須在薄膜成長結束後立即量測。MCD量測證實摻雜的Co離子取代Zn離子,而且也於3.4eV處呈現磁耦合訊號,這點也得到SQUID﹣VSM量測的證實。以上數據表明,單單摻雜5﹪Co過鍍金屬不會產生磁耦合,但在加入適當的氧缺陷後則出現明顯磁耦合,顯示摻雜Co離子與氧缺陷同時存時才能觸發磁耦合。
Abstract
Doping of transition ions and introducing oxygen vacancies (VO) in several oxides can trigger spectacular room temperature ferromagnetic coupling and becomes diluted magnetic oxides. How the magnetic dopant and vacancies collaborate to induce ferromagnetism is still unclear. A general picture of the carrier mediated mechanism is widely accepted, such as: the free carriers mediate the long-range magnetic coupling via RKKY mechanism when the material is in metallic state while the localized carriers mediate magnetic coupling in a limited radius via BMP mechanism. For those semiconducting materials, the carrier is neither as free as metals nor localized as insulator, how electron induces magnetic coupling and who provides magnetic moments and what are the roles of doped transition ions and introduced oxygen vacancies are unclear and are needed to be answered before real applications. This study aims at developing a technique to reliably reproduce oxygen vacancies in Co doped ZnO films and growth a series samples with systematically varied oxygen vacancies to study these mentioned issues.
In this study, five percent Co doped ZnO, Zn0.95Co0.05O (CZO), targets were prepared by solid state reaction method at 860oC. CZO films with various oxygen vacancies were grown by RF sputtering technique in a mixed H2/Ar gas with different percentages, denoted as H2%. It was found that the base vacuum of growth chamber is crucial for reliably reproduce exact vacancy concentration. With our effort, the base vacuum of our chamber is now lower than 1x10-7Torr and the VO reproducibility is reliable. These as grown films degraded very fast when were exposed to air. In order to know basic properties of the as grown films, the resistance and optical transmittance were measured right when films were taken out from the growth chamber. Films grown in high H2% atmosphere exhibit lower resistance, higher transmittance and wider optical bandgap which could be due to Burstein-Moss effect. The effective oxygen vacancies were measured by X-ray photon emission (XPS). Due to XPS is accessible in the core facility center which is usually few days or week after the film growth, only the data at the mid layer of films were taken. A slightly discrepancy between H2% and XPS data is found indicating a small uncontrollable in our film growth system. Reliable data has to be taken for only the as grown films. MCD data proves the doped Co ions substitutes successfully at Zn sites and shows magnetic coupling at around 3.4eV same as SQUID-VSM data indicated. These data strongly indicates that the doping of 5% Co alone cannot generate magnetic coupling, and only when coexist with oxygen vacancies the magnetic coupling appears.
目次 Table of Contents
論文審定書…………………………………………………………………………….i
致謝.................................................................................................................................ii
中文摘要.......................................................................................................................iii
English Abstract………………………………………………………..…………iv
目錄………………………………………………………………………...…………..vi
表 次………………………………………………….…………………….…………ix
圖 次…………………………………………………………….………………….…xi
第一章 導論…………………………………………………..………………………1
1-1稀磁性半導體(Diluted Magnetic Semiconductor, DMS)或稀磁性氧化物(Diluted Magnetic Oxide, DMO)概述…………..…...………………….……1
1-2 DMS磁性來源…………………………………………………………………3
1-3實驗目標………………………………………………………….……………7
第二章 理論背景……………………………………………………………………8
2-1磁性物質種類………………………………………………………….………8
2-2 RKKY理論………………………………………………………………...…10
2-3 Bounded Magnetic Polaron Model……………………………………...……12
2-4 VRH Concentric Bounded Model………………………………….…………13
第三章 儀器介紹………………………………………..…………………………17
3-1 X光繞射系統(X-ray Diffraction)………………………………………….…17
3-2 N&K Analyzer 1280…………………………………………………………..19
3-3原子力顯微鏡(Atomic Force Microscope)………...…………………………20
3-4磁圓二色性光譜儀(Magnetic Circular Dichroism Spectormeter)………...…22
3-5超導量子干涉儀(Superconducting Quantum Interference Device).................23
3-6射頻磁控濺鍍系統(RF magnetron sputtering system)……………..………...24
第四章 結果討論…………………………………………..………...…………….26
4-1真空系統穩定……………………………………...…………………………26
4-2靶材製備…………………………….…...…………………………..………27
4-2-1靶材配製………………………………………………………………27
4-2-2靶材製作過程探討……………………………………………………29
4-3數據分析…………………...…………………………………………………32
4-3-1 X-ray diffraction …………………………………...…………………34
4-3-2 X光光電子能譜(X-ray photoelectron spectroscopy)………...………38
4-3-3 厚度與電阻……………...……………………………………………42
4-3-4 Transmittance…………….……………………………………………46
4-3-5 Magnetic Circular Dichroism (MCD)…………………………………51
4-3-6磁性量測……………………………………………………...….……59
第五章 結論………………………………………………………………...……….64
參考文獻……………………………………………………………………………...66
第六章 附錄…………………………………………………………………………68
6-1 Al2O3保護層…………………………….……………………………………68
6-1-1 RF Power…………………………………………………...….……...69
6-1-2 工作氣體流量比例………………………………………...…………71
6-1-3 工作壓力……………………………………………………………...73
6-1-4氧化鋁(Al2O3)/Zn0.95Co0.05O/玻璃(Glass) 與 氧化鋁(Al2O3)/ Zn0.95Co0.05O/氮化矽(Si3N4)/玻璃(Glass)………………………...…75
6-2 AlN保護層……………………………………………………………………83
6-2-1 RF Power與工作壓力………………………………………...………84
6-2-2 RF Power第一次測試………………………………………...………87
6-2-3 RF Power第二次測試………………………………………...………89
6-2-4氮化鋁(AlN)/Zn0.95Co0.05O/氮化鋁(AlN)/基板….…………...………91
6-3 其它CZO實驗……………….………………………………………………98
6-3-1 工作壓力……………………………………………………………...99
6-3-2 Photoresist(光阻)/CZO(改變含氫量)/Glass(玻璃)………….………101
6-3-3 低溫成長CZO(改變含氫量)….………………………………….108
6-3-4 新靶材Zn0.95Co0.05O合適含氫量實驗測試……….………………..111
6-3-5 工作氣體含氫量…………………………………………………….115
6-3-6 沉積時間與gun距離………………………………………………..119
6-3-7 工作氣體總流量與混合氣………………………………………….122
6-3-8 混合氣(改變含氫量)………………………………………………..124

表 次
第四章
表 4-1 Zn、O、Co原子量與ZnO、Co3O4、Zn0.95Co0.05O分子量…………………….....27
表 4-2 以相同5%摻Co比例,分別以0.5g、1.0g、1.5g的粉末量壓成錠狀,燒
結前與燒結後密度值大小。………….………………………...…...………31
表 4-3 不同工作氣體含氫量成長條件………………………………………………32
表 4-4 擬合不同含氫量的O 1s Binding energy與Intensity結果……….…………..40
表 4-5用三用電表量測電阻,兩電極距離約1cm。耀中學長數據,改變含氫量
ZnO摻Co之電阻。……………………………………………………………45
表 4-6 不同氧空缺多寡造成的磁性大小…………………………………...……….56
第五章
表 5-1用三用電表量測電阻,兩電極距離約1cm。耀中學長參數電阻與論文參數
電阻比較。……………………………………………………...………………64
第六章
表 6-1 改變RF Power之Al2O3成長參數…………………………….……………...68
表 6-2改變Argon與Oxygen比例之Al2O3成長參數………………….…………….70
表 6-3改變工作壓力之Al2O3成長參數………………………………..…………….72
表 6-4 CZO成長條件…………………………………………………………………75
表 6-5 Al2O3層成長條件,利用沉積時間改變厚度………………………………….75
表 6-6 變RF Power與工作壓力之AlN成長參數…………………………………...83
表 6-7 第一次改變RF Power之AlN成長參數……………………………………...86
表 6-8 第二次改變RF PowerAlN之成長參數……………………….……………...88
表 6-9 75 nm AlN成長參數…………………………………………………………...91
表 6-10 10% CZO成長參數…………………………………………………………..91
表 6-11 改變沉積厚度之AlN成長參數……………………………………………..92
表 6-12 改變工作壓力之CZO成長參數………………...…………………………..98
表 6-13 改變含氫量之CZO成長參數……………………………………………...100
表 6-14 環境溫度零下191℃並改變含氫量之CZO成長參數…………....……....107
表 6-15 第一次改變含氫量之CZO成長參數……………………...……………....110
表 6-16 第二次改變含氫量之CZO成長參數……………………...………………111
表 6-17 改變含氫量之CZO成長參數……………………………...………………114
表 6-18 改變沉積時間與gun距離之CZO成長參數……………………...……….118
表 6-19 改變沉積時間與gun距離之CZO成長參數……………………...……….121
表 6-20 改變混合氣含氫量之CZO成長參數……………………………...……....123

圖 次
第一章
圖 1-1 半導體之型式(A)磁性半導體,(B)稀磁性半導體,(C)非磁性半導體。……....1
圖 1-2 理論計算各種p行半導體摻雜5% Mn之居禮溫度(Tc)……………….…......2
圖 1-3 (a)Zn0.95Co0.03Al0.02O與Zn0.97Co0.03O之M-H圖………….…………………....3
(b)不同Al摻雜量之M-H圖…………………………….……………...……….3
圖 1-4 在溫度300K,Zn1-xCoxO薄膜M-H圖。………………………………………..4
圖 1-5 Zn0.951Co0.049O薄膜在外加磁場2kOe的M-T圖與R-T圖。…………………...4
圖 1-6 Concentric Bounded Model……………………………………………………..5
圖 1-7 Concentric Bounded Model耦合示意圖………………………………………..5
圖 1-8 ZnO之鋅空缺示意圖…………………………………………………………...6
圖 1-9 能態密度與能階示意圖………………………………………………………..6
第二章
圖 2-1 不同磁性之磁矩排列方式……………………………………………………..9
圖 2-2 RKKY模型示意圖…………………………………………………………….10
圖 2-3 隨過渡金屬原子間距離( )變化關係圖………………………………....11
圖 2-4束縛極化子模型示意圖……………………………………………………….12
圖 2-5 Concentric Bounded Model……………………………………………………13
圖 2-6 電阻與外加電壓關係圖………………………………………………………14
圖 2-7 外加不同電場的磁滯曲線……………………………………………………14
圖 2-8 電阻與溫度的關係圖…………………………………………………………15
圖 2-9 Concentric Bounded Model耦合示意圖………………………………………16
第三章
圖 3-1 布拉格繞射示意圖……………………………………………………………17

圖 3-2 低掠角繞射法示意圖…………………………………………………………18
圖 3-3 N&K Analyzer 1280……………………………………………………………19
圖 3-4 兩原子的位能與距離關係圖…………………………………………………21
圖 3-5 AFM示意圖…………………………………………………………………....21
圖 3-6 MCD理論示意圖……………………………………………………………...22
圖 3-7 兩個約瑟芬接面組合成約瑟芬環……………………………………………23
圖 3-8 射頻(RF)濺鍍系統示意圖…………………………………………………....24
圖 3-9 正負電流切換示意圖…………………………………………………………25
圖 3-10 射頻磁控濺鍍系統之濺鍍鎗為內鑲常磁鐵式……………………………..25
第四章
圖 4-1 粉末去水氣,600℃烘烤7小時。……………………………………………...28
圖 4-2 初燒條件,860℃燒烤12小時。……………………………………………….28
圖 4-3 四種摻Co比例2%、5%、10%、15%的錠狀靶材,顏色與舊靶材相比。……..29
圖 4-4 有無覆蓋粉末,錠狀靶材顏色相差不多,但所覆蓋粉末顏色則較錠狀靶
材顏色淺。……………………………………...………………………...….30
圖 4-5 摻Co比例皆為10%,第一次的錠狀靶材顏色較淡,厚度較薄,第二次的
錠狀靶材色澤較深,厚度較厚。……………………………………………...30
圖 4-6 以相同5%摻Co比例,0.5g、1.0g、1.5g的粉末量壓成錠狀,送進高溫爐
燒結後,發現顏色隨厚度而遞增,厚度越厚,顏色越深。…………………...31
圖 4-7 (a)利用e-beam鍍上鈦(Ti)/金(Au)/鈦(Ti)底電極……………………………..33
(b)立可白塗抹於已鍍底電極基板四周……………………………………….33
圖 4-8 GIXRD低掠角繞射分析,圖中標示ZnO相對波峰之Miller Indices……..…36
圖 4-9 GIXRD 面擬合結果……………………………...……………………...36
圖 4-10 擬合結果計算晶粒大小………………………………………………37
圖 4-11 擬合結果計算c軸晶格常數…………………………….……………37

圖 4-12 氧1s之XPS光譜…………………………………………………………….40
圖 4-13 氧1s之XPS光譜擬合結果………………………...…….………………….41
圖 4-14 氧空缺含量曲線圖…………………………………………………………..41
圖 4-15 不同含氫量薄膜厚度………………………………………………………..43
圖 4-16 不同含氫量與電阻關係圖…………………………...…….………………..43
圖 4-17 相同含氫量成長於不同基板之GID比較…………………………………..44
圖 4-18 學長數據,改變含氫量ZnO摻Co之GID…………………………………..44
圖 4-19 不同摻氫量AFM表面形貌…………………………..……………………..45
圖 4-20 ZnO摻Co薄膜隨含氫量越高顏色越深………………………………….....47
圖 4-21 ZnO摻Co薄膜穿透率,成長時間20min…………………………………….47
圖 4-22 ZnO摻Co薄膜穿透率,成長時間10min…………………………………….48
圖 4-23 ZnO摻Co薄膜穿透率一階微分,成長時間20min………………………….48
圖 4-24 ZnO摻Co薄膜穿透率一階微分,成長時間10min………………………….49
圖 4-25 穿透率原始數據一階微分與擬合後一階微分結果比較…………..………49
圖 4-26 為圖 4-23擬合後所得光學能隙……………………………………………50
圖 4-27 為圖 4-24擬合後所得光學能隙……………………………………………50
圖 4-28 外加磁場為零,CD訊號(含氫量0、5、10%)………………………………...52
圖 4-29 外加磁場為零,CD訊號(含氫量7、8、9%)………………………………….53
圖 4-30 膜面與入射光未垂直造成訊號damping現象……………………………...53
圖 4-31 定義光源垂直膜面、膜面朝下、膜面朝上示意圖………………………...54
圖 4-32 外加磁場0Gauss的CD吸收率……………………………………………...54
圖 4-33 外加磁場0Gauss的CD吸收率一階微分…………………………………...55
圖 4-34 外加7800Gauss MCD光譜圖……………………………………………….55
圖 4-35 外加磁場7800 Gauss的CD吸收率………………………………………....56
圖 4-36 外加磁場7800 Gauss的CD吸收率一階微分……………………………....57
圖 4-37 在外加磁場下,7%、8% ZnO能隙往高能量偏移。…………………………57
圖 4-38 MCD吸收率原始數據一階微分與擬合後一階微分結果比較…...………..58
圖 4-39 MCD吸收率一階微分與穿透率一階微分擬合後所得Bnadgap…………...58
圖 4-40 改變工作氣體含氫量之M-H圖(5K)………………………………………..59
圖 4-41 改變工作氣體含氫量之M-H圖(300K)…………………………………......60
圖 4-42 扣斜率後所得超順磁貢獻值………………………………………………..61
圖 4-43 薄膜與基板皆對面積歸一化並扣除基板訊號結果………………………..62
第五章
圖 5-1 不同工作氣體含氫量物理性質……………………………………………....65
第六章
圖 6-1 不同RF Power之AFM表面形貌…………………………………………….70
圖 6-2 改變RF Power之厚度與rms roughness……………….…………………......70
圖 6-3改變Argon與Oxygen流量比例之AFM表面形貌…………………………...72
圖 6-4 改變Argon與Oxygen流量比例之厚度與rms roughness………..………..72
圖 6-5 改變工作壓力之AFM表面形貌……………………………………………..74
圖 6-6 改變工作壓力之厚度與rms roughness…………………………….………...74
圖 6-7 (Al2O3-0 nm)/CZO/Glass隨時間變化電阻值…………………………………77
圖 6-8 (Al2O3-0 nm)/CZO/Si3N4/Glass隨時間變化電阻值………………………......77
圖 6-9 (Al2O3-2 nm)/CZO/Glass隨時間變化電阻值………………………………....78
圖 6-10 (Al2O3-2 nm)/CZO/Si3N4/Glass隨時間變化電阻值…………………………78
圖 6-11 (Al2O3-5 nm-1)/CZO/Glass隨時間變化電阻值…………………...………...79
圖 6-12 (Al2O3-5 nm-1)/CZO/Si3N4/Glass隨時間變化電阻值……………...……….79
圖 6-13 (Al2O3-10 nm)/CZO/Glass隨時間變化電阻值………………………………80
圖 6-14 (Al2O3-10 nm)/CZO/Si3N4/Glass隨時間變化電阻值………………………..80
圖 6-15 (Al2O3-30 nm)/CZO/Si3N4/Glass隨時間變化電阻值………………………..81
圖 6-16 (Al2O3-5 nm-2)/CZO/Glass隨時間變化電阻值………………...…………...82
圖 6-17 (Al2O3-5 nm-2)/CZO/Si3N4/Glass隨時間變化電阻值…………...………….82
圖 6-18 改變RF Power之厚度與rms roughness………………………….…………85
圖 6-19 改變RF Power之AFM表面形貌…………………………………………...85
圖 6-20 改變工作壓力之厚度與rms roughness…………………………….…….....86
圖 6-21 改變工作壓力之AFM表面形貌……………………………………………86
圖 6-22 第一次改變RF Power之厚度與rms roughness………..…...………………88
圖 6-23 第一次改變RF Power之AFM表面形貌…………………………………...88
圖 6-24 第二次改變RF Power之厚度與rms roughness…………….………………90
圖 6-25 第二次改變RF Power之AFM表面形貌…………………………………...90
圖 6-26 (AlN-50 nm)/CZO/(AlN-75 nm)/FQ隨時間變化電阻值……………………94
圖 6-27 (AlN-50 nm)/CZO/(AlN-75 nm)/glass隨時間變化電阻值……...…………..94
圖 6-28 (AlN-50 nm)/CZO/(AlN-75 nm)/Si隨時間變化電阻值……………………..95
圖 6-29 (AlN-75 nm)/CZO/(AlN-75 nm)/FQ隨時間變化電阻值……………………95
圖 6-30 (AlN-75 nm)/CZO/(AlN-75 nm)/glass隨時間變化電阻值……...…………..96
圖 6-31 (AlN-75 nm)/CZO/(AlN-75 nm)/Si隨時間變化電阻值……………………..96
圖 6-32 (AlN-10 nm-2)/CZO/(AlN-75 nm)/glass隨時間變化電阻值………………..97
圖 6-33 (AlN-10 nm-2)/CZO/(AlN-75 nm)/Si隨時間變化電阻值………………...97
圖 6-34 改變工作壓力之AFM表面形貌………………………………...………...100
圖 6-35不同含氫量之穿透率……………………………………………………….102
圖 6-36 CZO(含氧量2%)/Glass隨時間變化電阻值………………………………..103
圖 6-37 PR/CZO(含氧量2%)/Glass隨時間變化電阻值……………………………103
圖 6-38 CZO(含氧量4%)/Glass隨時間變化電阻值………………………………..104
圖 6-39 PR/CZO(含氧量4%)/Glass隨時間變化電阻值…………………………....104
圖 6-40 CZO(含氧量6%)/Glass隨時間變化電阻值………………………………..105
圖 6-41 PR/CZO(含氧量6%)/Glass隨時間變化電阻值……………………………105
圖 6-42 CZO(含氧量8%)/Glass隨時間變化電阻值………………………………..106
圖 6-43 PR/CZO(含氧量8%)/Glass隨時間變化電阻值…………………………....106
圖 6-44 CZO(含氧量10%)/Glass隨時間變化電阻值………………………………107
圖 6-45 PR/CZO(含氧量10%)/Glass隨時間變化電阻值…………………………..107
圖 6-46 環境溫度-191℃之CZO薄膜………………………………………………109
圖 6-47環境溫度-191℃不同含氫量之穿透率……………………………………..109
圖 6-48 0%含氫量之GIXRD(環境溫度-191℃)…………………………………….110
圖 6-49 10%含氫量之GIXRD(環境溫度-191℃)…………………………………...110
圖 6-50 第一次改變含氫量薄膜顏色變化………………………………………....112
圖 6-51第一次改變含氫量薄膜電阻值分佈………………………………………..113
圖 6-52第二次改變含氫量薄膜顏色變化…………………………………………..113
圖 6-53第二次改變含氫量薄膜電阻值分佈………………………………………..114
圖 6-54第一次與第二次改變含氫量薄膜電阻值分佈疊合………………………..114
圖 6-55 改變含氫量之AFM表面形貌……………………………………………..116
圖 6-56改變含氫量之穿透率………………………………………………………..116
圖 6-57 SQUID環境溫度5K之基板訊號…………………………………………..117
圖 6-58 改變含氫量之M-H圖(5K)…………………………………………………117
圖 6-59 SQUID環境溫度300K之基板訊號………………………………………..118
圖 6-60改變含氫量之M-H圖(300K)……………………………………………….118
圖 6-61 改變沉積時間與gun距離之穿透率……………………………………….120
圖 6-62改變沉積時間與gun距離之穿透率一階微分…………………………...120
圖 6-63改變沉積時間與gun距離之MCD(0.78T)………………………………….121
圖 6-64 改變工作氣體總流量與混合氣之穿透率…………………………………123
圖 6-65 改變混合氣含氫量之AFM表面形貌……………………………………..125
圖 6-66 改變混合氣含氫量之電阻分佈……………………………………………125
圖 6-67 改變混合氣含氫量之穿透率………………………………………………126
圖 6-68 改變混合氣含氫量之穿透率一階微分……………………………………126
圖 6-69 改變混合氣含氫量之M-H圖(5K)…………………………………………127
圖 6-70 改變混合氣含氫量之M-H圖(300K)………………………………………127
參考文獻 References
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