氧化亞銅為直接能隙的半導體，能隙值約2.1ev，在太陽能運用上是一個很有潛力的材料，本實驗研究利用反應式磁控濺鍍來成長氧化亞銅薄膜，討論成長參數對於薄膜性質（光性、電性及結構）的影響。
　　我們發現以高溫製程及低溫製程（以成長基板溫度來定義）成長的薄膜有不同的性質表現，在低溫成長會有較高的電洞載子濃度及較好穿透率，而高溫成長有較高的載子遷移率，另一方面也發現在低溫的製程中可以利用改變工作壓力來控制薄膜的的晶粒尺寸大小，並可以控制電洞載子的濃度（1016~1017cm-3）。　　
在氬氣氣氛之下以100~300oC對薄膜進行熱退火，薄膜有很好的穩定性，其中以300oC退火三十分鐘能有效降低薄膜的片電阻。
也發現摻鋅的數量也會影響電洞載子的濃度以及載子遷移率，鋅靶濺鍍功率為10W時所成長的

Polycrystalline p-Cu2O were fabricated by reactive rf magnetron sputtering . we found that The electrical, optical, and crystallographical properties of films were strongly dependent on the deposition condition . Grant size increasing in the range from 10 to 45nm , A hole concentration increasing in the range from 1016 to 1017 cm-3 and a mobility increasing on the order of 10-1 cm2/V s were obtained in the cuprous oxide thin film prepared by controlling work pressure (Argon partial partial pressure ) .

Fabricated thin-film heterojunction diodes consisting of a p-type cuprous oxide combined with and n-type Al-doped ZnO and ITO exhibited a rectifying current-voltage characteristic .

總目錄
中文摘要．．．．．．．．．．．．．Ⅰ
英文摘要．．．．．．．．．．．．．Ⅱ
總目錄．．．．．．．．．．．．．．Ⅲ
表目錄．．．．．．．．．．．．．．Ⅴ
圖目錄．．．．．．．．．．．．．．Ⅴ

第一章、前言．．．．．．．．．．．1
1.1 導論．．．．．．．．．．．．．1
1.2 研究動機及目的．．．．．．．．2
第二章、理論基礎及文獻．．．．．．4
2.1 氧化亞銅薄膜性質介紹．．．．．4
2.2 摻雜研究．．．．．．．．．．．5
2.3 後處理之研究．．．．．．．．．5
2.4 本實驗採使用成長薄膜原理．．．6
2.4.1反應式濺鍍．．．．．．．．．．6
2.4.2薄膜沉積．．．．．．．．．．．7
第三章、實驗設計及設備．．．．．．．9
3.1 實驗設計．．．．．．．．．．．9
3.2 實驗設備及方法．．．．．．．．10
3.2.1薄膜製程設備及方法．．．．．．10
3.2.2薄膜分析設備．．．．．．．．．11
第四章、研究結果及討論．．．．．．．15
4.1 高溫製程．．．．．．．．．．．15
4.1.1 XRD結構分析．．．．．．．．．15
4.1.2高溫製程薄膜電性分析．．．．．16
4.2 低溫（室溫）製程．．．．．．．16
4.2.1 XRD結構分析．．．．．．．．．16
4.2.2電性的分析．．．．．．．．．．18
4.2.3光性的分析．．．．．．．．．．20
4.3 後處理的研究．．．．．．．．．21
4.4 多晶系n型半導體摻鋁氧化鋅(AZO);氧化銦錫薄膜(ITO)與P型　　　半導體氧化亞銅薄膜p-n接面電流-電壓．22
4.5 調變參數成長摻鋅氧化亞銅薄膜研究．22
4.5.1 改變鋅靶功率．．．．．．．．．22
4.5.2 改變基板成長溫度．．．．．．．23
4.5.2 電性上分析．．．．．．．．．．24
4.5.3 摻鋅氧化亞銅薄膜退火處理．．．25
第五章、結論．．．．．．．．．．．．27
第六章、參考文獻．．．．．．．．．．29
第七章、附圖及附表．．．．．．．．．31

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