本實驗是以NiO(100)做磊晶薄膜平台，用離子束濺鍍上Au、Ag和Pt的奈米級小顆粒，再進行不同溫度和時間的熱處理，並且利用穿透式電子顯微鏡分析金屬晶粒結構與晶向關係。本實驗發現Au、Ag與Pt在同樣的NiO(100)上，經過退火後三者的晶粒表現有不少的差異性。
金在退火200℃左右會有利Au(100)在NiO磊晶表面的排列，之後隨著溫度的升高，Au(111)的量會隨著提升。
銀在濺鍍時比較容易直接在NiO磊晶表面形成Ag(100)，在退火溫度300℃時，Ag(100)的會最明顯，但再隨著退火溫度提升，Ag晶粒的排列又會轉向(111)的趨勢。
鉑在NiO磊晶上，經退火之後，不僅晶粒表現幾乎沒有改變，且所有晶粒的晶面皆是雜亂排列。
此實驗以三者的熔點、密度、表面能和晶格常數關係說明實驗結果，並以晶粒大小及聚簇過程加以研究。

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目錄
摘要 1
1. 簡介 2
1. 1 金屬性質與論文回顧 2
1. 2 薄膜沈積機制 6
1. 3 表面原子動力學過程 7
1. 4 實驗目的 8
2. 實驗部分 9
2. 1 實驗儀器 9
2. 1. 1 離子束濺鍍機 9
2. 1. 2 解析式穿透式電子顯微鏡 10
2. 1. 3 低掠角X光繞射儀 11
2. 2 試片製備方法 11
2. 3 實驗內容 12
2. 3. 1 NiO薄膜製備 12
2. 3. 2 Au、Ag與Pt奈米顆粒之旋轉及聚集 13
3. 結果與討論 14
3. 1 濺鍍NiO薄膜於NaCl上 14
3. 1. 1 NiO與NaCl之晶向關係 14
3. 1. 2 原子平面模擬 15
3. 2 濺鍍Au奈米晶粒在NiO(001)平面 15
3. 2. 1 甲組試片金晶粒在NiO(100)上退火溫度的影響 16
3. 2. 2. 1 乙組試片金晶粒在NiO(100)上退火溫度的影響(晶 粒聚集) 18
3. 2. 2. 2 乙組試片，Au晶粒擇優取向探討 19
3. 2. 2. 3 乙組試片，X光繞射儀測量 20
3. 2. 2. 4 甲、乙組試片之簡單比較 20
3. 2. 3 金晶粒在NiO(100)上大尺寸晶粒聚合現象 21
3. 2. 4 金晶粒在NiO(100)上退火時間的影響 21
3. 2. 5 濺鍍Au於NiO(100)上基材溫度的影響 22
3. 3 銀在NiO(100)磊晶平面 24
3. 3. 1 銀晶粒在NiO(100)上退火溫度的影響(丙組試片) 25
3. 3. 2 以X光繞射儀做測量(丁組試片) 26
3. 3. 3 Ag在NiO(100)上的晶粒聚集及排列特性(戊組試片) 27
3. 4 鉑在NiO(100)磊晶平面 28
3. 5 綜合討論 29
4. 結論 32
5. 參考文獻 33

[1] S. W. Lovesey. [J] Journal of Phtsics: Condensed Matter, 1998, 10: 2505 ~ 2513.
[2] S. Hufner. [J] Advances in Physics, 1994, 43: 183.
[3] E. Fujii, A. Tomozawa, H. Torii, and R. Takayama, “Preferred orientations of NiO films prepared by plasma-enhanced metal-organic chemical vapor deposition” , Jpn. J. Appl. Phys., 35(1996)
[4] M. Kitao, K. Urabe, T. Komatsu, S. Kuwano. “Preparation and electro-chromic properties of RF-sputtered NiOx films prepared in Ar/O2/H2 atmosphere” , Jpn. J. Appl. Phys., 33(1994), 6656.
[5] M. Martini, G. E. S. Brito, M. C. A. Fantini, et al. [J]. Electrochimica Acta, 2001, 46 : 2275
[6] H. Jumagai, M. Matsumoto, K. Toyoda, and M. Oobara, Journal of Materials Science Letters. 15(1996), 1081
[7] H. Sato, T. Minami, S. Takata, and T. Yamada. Thin Solid Films. 236(1993), 27.
[8] Y. M. Lu, J.S. Yang, Journal of Materials Science and Engineer, Vol. 34, No. 2 PP. 79-84(2002)
[9] Cabot, A.: Arbiol, J,: MORANTE, J.R. Sensors and Actuators. B, 2000, 70: 87
[10] Neri, G.: Bonavita, A.: Moilone, C.: Galvagno, S. Sensors and Actuators B, 2003, 93: 402
[11] Kobayashi, T. Sensors and Acturators B, 1993, (13-14):536
[12] Haruta M, Ymada N, Kobayashi T, Iijima S. [J] Catal, 1989, 115(2): 301
[13] P. Thompson, Sensors and Actuators A 101 (2002) 358-363
[14] C.R. Harrington, M.F. Sultan, US Patent 6,131,453 (2000).
[15] K. Zhao, H.K. Wong, J. of Crystal Growth 256 (2003) 283-287.
[16] J. Narajan, K.Tiwari, K. Jagnnaadham, O.W. Holland, Appl. Phys. Lett. 64
(1994) 2093.
[17] J.F.M. Cillessen, R.M. Wolf, D.M. de Leeuw, Thin Solid Films 226 (1993) 53
[18] G. Cui, P.C. van Buskirk, J. Zhang, C.P. Beetz Jr., J. Steinbeck, Z.L. Wang, J.
Bentley, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 310(1993) 345.
[19] R. E. Smallman, Modern Physical Metallurgy, CH. 10
[20] G. Safran, J. R. Gunter, [J] Thin Solid Films, 229(1993) 37-43