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博碩士論文 etd-0717103-185322 詳細資訊
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論文名稱
Title
溫度補償型卑金屬積層陶瓷電容特性研究
Study of Temperature compensated type Ceramic Capacitors Characteristic of base metal Multilayer
系所名稱
Department
畢業學年期
Year, semester
語文別
Language
學位類別
Degree
頁數
Number of pages
63
研究生
Author
指導教授
Advisor
召集委員
Convenor
口試委員
Advisory Committee
口試日期
Date of Exam
2003-07-15
繳交日期
Date of Submission
2003-07-17
關鍵字
Keywords
積層陶瓷電容、卑金屬、溫度補償型
base metal Multilayer, Ceramic Capacitors, Temperature compensated type
統計
Statistics
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中文摘要
本研究之目的,將取得的溫度補償型卑金屬陶瓷粉末(Temperature compensated type Ceramic powder),製成積層陶瓷電容(Multilayer Ceramic Capacitors, MLCCs),再針對不同的設計及尺寸,探討其特性。
首先談到台灣電容器產業自1960年到最近的發展,內容著重在積層陶瓷電容器的發展,由傳統銀鈀貴重金屬 (Normal Metal Electronic) 製程,為降低製造成本發展成卑金屬(Base Metal Electronic)製程。
接著引述相關文獻,說明溫度補償型卑金屬積層陶瓷電容特性,及主要的電器特性,及影響元件特性的相關因子頻率(Frequency)、測試信號位準(Test Signal Level)、直流電偏壓(DC Bias)、溫度(Temperature)、時間等方向及絶緣(insulation resistance)性及耐壓(break down voltage)性。
再從樣品製作流程及結構進行分析,到電器特性的量測到分析,並針對結果進行討論,歸納出相對於相關因子的特性,及往後的發展方向建議,並附上有關的參考資料。


Abstract
The objectives of this research are to accomplish Multilayer Ceramic Capacitors, MLCCs used Temperature compensated type Ceramic powder and different design and size to confer its characteristic.
The first to speak about Taiwan capacitors property development to point Multilayer Ceramic Capacitors from 1960 to recently.The manufacture procedure from Normal Metal Electronic procedure change to Base Metal Electronic procedure.
The second to quote the relation document to explain Temperature compensated type Multilayer Ceramic Capacitors characteristics and main electric characteristics and the related factors such as Frequency, Test Signal Level, DC Bias, Temperature, Time, Insulation resistance and Break down voltage.
The last from sample manufacture flow and structure analysis to electric characteristic measure analysis and result to discuss opposite factor characteristics. To bring up develop direction and reference material.


目次 Table of Contents
摘要…………………………………………………………………………………… Ⅱ
ABSTRACT……………………………………………………………………………… Ⅲ
目錄…………………………………………………………………………………… Ⅳ
圖目錄………………………………………………………………………………… Ⅵ
表目錄………………………………………………………………………………… Ⅶ
誌謝…………………………………………………………………………………… Ⅷ
第一章 緒論………………………………………………………………………… 1
1-1前言………………………………………………………………………… 1
1-2本研究重點及目的………………………………………………………… 3
第二章 文獻回顧與理論背景……………………………………………………… 4
2-1溫度補償型卑金屬積層陶瓷電容器之簡介………………………………… 4
2-2電容器與電容………………………………………………………………… 5
2-3阻抗…………………………………………………………………………… 5
2-4散逸係數……………………………………………………………………… 6
2-5電容量測…………………………………………………………………… 6
2-6元件的相關因子…………………………………………………………… 8
第三章 樣品製作及結構分析……………………………………………………… 10
3-1樣品製作流程……………………………………………………………… 10
3-2電容樣品結構示意圖……………………………………………………… 13
3-3樣品設計網版尺寸………………………………………………………… 13
3-4樣品設計資料……………………………………………………………… 14
3-5樣品剖面結構……………………………………………………………… 14
第四章 特性研究…………………………………………………………………… 17
4-1介電常數特性……………………………………………………………… 17
4-2頻率特性…………………………………………………………………… 19
4-3測試信號位準特性………………………………………………………… 25
4-4直流電偏壓特性……………………………………………………………… 31
4-5溫度特性……………………………………………………………………… 38
4-6時間特性……………………………………………………………………… 39
4-7絶緣電阻……………………………………………………………………… 40
4-8破壞電壓……………………………………………………………………… 41
第五章 結果與討論…………………………………………………………………… 42
5-1 陶瓷粉末特性對電器特性的影響…………………………………………… 42
5-2 內電設計對電器特性的影響………………………………………………… 42
第六章 結論…………………………………………………………………………… 44
第七章 未來研究方向建議…………………………………………………………… 46
參考資料……………………………………………………………………………… 47
附錄一陶瓷粉末SCZT-K出貨檢驗報告…………………………………………… 49
附錄二EIA class I 編碼原則………………………………………………………… 50
附錄三EIA class Ⅱ,Ⅲ and Ⅳ dielectrics – type designation code……… 51
附錄四MLCC製造流程圖…………………………………………………………… 52
附錄五瓷膜成型機構圖……………………………………………………………… 53
附錄六印刷機構圖…………………………………………………………………… 54
附錄七疊層機構圖…………………………………………………………………… 55
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