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博碩士論文 etd-0718106-143731 詳細資訊
Title page for etd-0718106-143731
論文名稱
Title
RF濺鍍式ITO薄膜沉積之後熱處理效應
Post-Annealing Effects of Indium Tin Oxide Films on Glass Deposited by RF Sputtering
系所名稱
Department
畢業學年期
Year, semester
語文別
Language
學位類別
Degree
頁數
Number of pages
54
研究生
Author
指導教授
Advisor
召集委員
Convenor
口試委員
Advisory Committee
口試日期
Date of Exam
2006-06-18
繳交日期
Date of Submission
2006-07-18
關鍵字
Keywords
銦錫氧化物
ITO
統計
Statistics
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中文摘要
本論文的研究目的是利用RF磁式濺鍍系統來成長ITO薄膜於玻璃基板上,我們選擇在室溫下成長ITO薄膜,對ITO薄膜進行快速加溫與降溫的後熱處理,之後分析此ITO薄膜在不同的後熱處理條件下之光電特性。
我們選擇室溫下成長ITO薄膜之後進行後熱處理於100°C、150°C、200°C、250°C等溫度來作為比較,在室溫下,成長的ITO薄膜在厚度1800±100Å下擁有36.8Ω/□的良好面電阻值,而經加熱至250°C的後熱處理下其阻值可低至14.7Ω/□。
在XRD的分析下,室溫下的ITO薄膜是非結晶的結構,而經過後熱處理下的ITO薄膜則開始產生結晶結構,其結晶的主要方向是沿著(222)、(400)方向成長,而經由橢偏儀分析得到的折射率是由2.05往1.86變化,光學穿透率方面,經過後熱處理的ITO薄膜平均透光率在85%左右。
Abstract
Indium Tin Oxide (ITO) Films (1800±100Å) were deposited onto the glass substrate by RF reactive magnetron sputtering method at room temperature. The electrical properties and optical properties measured before and after post-annealing of different temperature in vacuum. The sheet resistance of ITO Films which deposited at room temperature was about 36.8Ω/□, and we could obtain high conductive 14.7Ω/□ using the conduction of vacuum post-annealing at the temperature of 250°C. The X-ray diffraction (XRD) data show polycrystalline films after post-annealing with grain orientations predominantly along (222) and (400) directions depend on temperature. Atomic force microscope (AFM) and scanning electron microscopy (SEM) show the analysis of surface roughness and surface structure. The transparent was above 80% before and after post-annealing. The refractive index vary from 2.05 to 1.87 by using Ellipsometer.
目次 Table of Contents
目錄
誌 謝 I
中文摘要 II
Abstract III
目錄 IV
圖目錄 VI
表目錄 VIII
第一章 導論 1
第二章 製程材料與系統 5
2-1 銦錫氧化物(ITO) 5
2-2 RF磁式濺鍍系統 9
第三章 製成步驟與分析儀器 13
3-1 實驗的流程 13
3-1-1 基板的清洗 13
3-1-2 靶材的選擇 14
3-1-3 實驗的流程 14
3-2 分析儀器介紹 17
3-2-1 四點探針儀(Four-point-probe) 17
3-2-2 紫外光/可見光光譜儀(UV-visible Spectrophotometer) 18
3-2-3 橢圓偏光儀(Ellipsometer) 18
3-2-4 X-ray 繞射儀(XRD) 19
3-2-5 掃描式電子顯微鏡(SEM) 22
3-2-6 原子力顯微鏡(AFM) 23
第四章 結果討論與分析 25
4-1 導電性質分析 26
4-1-1 四點探針儀分析 26
4-1-2 X-ray繞射儀分析 27
4-1-3 霍爾量測分析 31
4-2 光學性質分析 33
4-2-1 可見光穿透率 33
4-2-2 折射率 34
4-3 表面分析 36
第五章 總結 42
參考文獻 44
參考文獻 References
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