「砷化鎵面射雷射電極製程及其特性分析」主要是針對已經磊晶完成的
GaAs VCSEL 結構做後半部的metalization 的製程，主要是把Au/Ge-Au 鍍
上做為n-型電極；把Au/Be-Au 鍍上做為p-型電極。針對製程部分做條件
最佳化，能形成歐姆接觸，進而降低VCSEL 的啟動電流，增大其雷射輸出
功率。另外更針對電流和其EL 光譜做詳細的分析，並與VCSEL 的結構體
做連結分析，希望藉著分析結果改進VCSEL 的結構設計，減少因電流大小
造成的熱效應影響雷射輸出的波長。再者也比較不同大小的光輸出孔徑，
比較不同的表現(包括光輸出功率大小；是否為單一mode 的雷射等等)。
將各方面的分析整合之後能再和以前相關VCSEL 的結果相比較，期能歸納
出一個更有發展性的結論。

「GaAs VCSEL Contact Process and Feature Analysis 」In this article, we
talk about the process of metalization on sample of epied GaAs VCSEL
structure. We deposit Au/Ge-Au on n-GaAs substrate for n-type contact ；and
Au/Be-Au on p-DBR for p-type contact by thermal evaporation. To lower
threshold current, and increase laser output power, ohmic contact is a necessary
condition. Furthermore a lot of analysis is done for injection current-EL
spectrum; VCSEL structure-EL spectrum; output aperture-laser output power.
And check the laser mode with gain Spectrum 、resonant cavity mode 、
spontaneous emission of active layer. Throughout the analysis mention above,
we hope to find a reasonable and reliable way of VCSEL structure design, so
that we can reduce the heat effect to vertical cavity surface emitting laser.

內容摘要
摘要......................................................................................... 3
第一章 簡介
1-1 垂直共振腔面射雷射（VCSEL ）簡介.................. 4
1-1.1 垂直共振腔面射雷射歷史
1-1.2 垂直共振腔面射雷射特性
1-2 電致螢光基本原理................................................ 12
第二章 實驗儀器與實驗步驟
2-1 VCSEL p-型電極製程步驟................................... 15
2-2 EL 實驗系統裝置與架設...................................... 27
2-3 L-I 實驗系統裝置與架設...................................... 34
第三章 實驗結果與分析
3-1 樣品結構................................................................ 36
3-2 光輸出-電流特性................................................... 46
3-3 光譜分析................................................................ 54
第四章 未來展望……………………………………………56
參考資料................................................................................. 57

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