氧化鋅（ZnO）在近幾年來越來越熱門，因為它與氮化鎵（GaN）一樣是寬能隙半導體，可做成紫外光波段的元件，以及它是透明的，可以做成透明電極且材料取得容易，價格也不貴等優點。本文主要是針對氧化鋅（ZnO）進行光調制反射率（Photoreflectance）光譜和非接觸式電場調制反射率（contactless electroreflectrance）光譜的量測，在更進一步做變溫非接觸式電場調制反射率光譜，再經由勞倫茲形式的曲線擬合實驗得到的光譜圖形，觀察氧化鋅（ZnO）的躍遷形式。

Recently, ZnO is more and more popular in years because ZnO which is the same with GaN is a wide bandgap semiconductor. Moreover, ZnO can be made as UV region photonic devices and it is transparent. In this article, the main discussion is the Photoreflectance spectroscopy and contactless electroreflectance spectroscopy of ZnO. The next step is that measures contactless electroreflectance spectroscopy at different temperatures. After experiments, using Lorentzian profile fits the experiment data. And observing the transition type of ZnO.

第一章 導論及相關理論 1
1.1 前言 1
1.2 能帶 2
1.3 直接能隙與間接能隙半導體 3
1.4 激子＜9＞ 4
第二章 調製光譜 7
2.1 調製光譜學簡介 7
2.2 調制光譜學機制 9
2.3 電子躍遷理論 11
2.4 反射率、吸收係數與介電函數 14
2.5 譜線圖形性質 20
低電場調制 21
中電場調制（FKOs效應） 24
第三章 實驗樣品與裝置 27
3.1 實驗樣品 27
3.2 實驗裝置 29
第四章 實驗結果與分析 34
4.1 實驗圖形分析 34
4.2 實驗數據分析 38
4.3 實驗結果討論 50
第五章 結論 52
Reference 53

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