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論文名稱 Title |
不同濃度的N型硒化鋅之電容-電壓量測分析
Capaciatance-Voltage Analysis on n-ZnSe with Various Doping Densities |
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系所名稱 Department |
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畢業學年期 Year, semester |
語文別 Language |
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學位類別 Degree |
頁數 Number of pages |
66 |
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研究生 Author |
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指導教授 Advisor |
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召集委員 Convenor |
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口試委員 Advisory Committee |
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口試日期 Date of Exam |
2002-06-21 |
繳交日期 Date of Submission |
2002-07-25 |
關鍵字 Keywords |
氧化坦、電容電壓、硒化鋅、載子濃度 Concentration, Ta2O5, ZnSe, C-V |
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統計 Statistics |
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中文摘要 |
電容電壓量測技術在金氧半(金屬-氧化層-半導體)結構中取得其結構參數是一個非常有效的。 在這篇論文中,我們使用磁控式濺鍍系統去沉積氧化坦(Ta2O5)在n型的硒化鋅(n-ZnSe)表面上,完成我們的金氧半結構的樣品。 我們由電容電壓量測得知不同的載子濃度的N型的硒化鋅具有不同的電性及與氧化坦的介面也有不一樣的性質。 例如平帶電壓,起始電壓,氧化層中可移動的載子濃度及有效的氧化層的載子濃度。 我們發現到N型的硒化鋅與氧化坦的介面有較低的介面陷阱及較少的可移動的載子於氧化坦中。 因此硒化鋅與氧化坦構成的金氧半結構或許值得被發展。 |
Abstract |
The method of C-V analysis is a powerful technique to determine the parameter of MOS (metal oxide semiconductor) structure. In this study, we fabricate the MOS structure with rf magnetron sputtering of Ta2O5 on n-ZnSe surface. The n-ZnSe’s with various carrier concentrations have different electrical property. Interfaces of various Ta2O5/ZnSe have different properties, for examples flatband voltage, threshold voltage, the mobile oxide charge density, and the effective oxide charge concentration and etc. We find that the interfaces of the Ta2O5/ZnSe MOS structure have low mobile charges and interface trap charges. Thus Ta2O5/ZnSe MOS structure may be worthy to develop further. |
目次 Table of Contents |
CHAPTER 1 Introduction ……. 1 CHAPTER 2 Theory and Formulation 2-1 MOS structure …...… 3 2-2 Charge in the MOS Capacitor ..…….. 4 2-3 Band-Bending Approximation ...……. 8 2-4 Accumulation, Depletion and Inversion ……. 10 2-5 Formulation of calculation parameters of MOS structure ……… 12 CHAPTER 3 Experiment 3-1 ZnSe MOS Structure Fabrication ………. 14 3-1.1 Samples Cleaning ………. 14 3-1.2 Depositing ohmic contact metal ………. 15 3-1.3 Sputtering Ta2O5 on ZnSe Substrate ….. 15 3-1.4 Depositing gate metal contact ………. 16 3-2 C-V MEASURE SYSTEM ………. 19 3-3 P-L MEASURE SYSTEM ………. 20 CHAPTER 4 Result and Discuss 4-1. The P-L analysis of Ta2O5 on ZnSe …….... 22 4-2. The C-V analysis of Ta2O5 on ZnSe ……… 22 4-2.1 Ta2O5 on Cl-doped ZnSe(Z272) ……… 22 4-2.2 Ta2O5 on Cl-doped ZnSe(Z273) ………. 26 4-2.3 Ta2O5 on Cl-doped ZnSe(Z274) ..…… 30 4-2.4 Ta2O5 on undoped ZnSe(M197) ..……. 34 4-3. Discuss .…… 38 CHAPTER 5 Conclusion ……… 59 Reference ………. 60 Appendix ………. 61 |
參考文獻 References |
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電子全文 Fulltext |
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