在本論文中主要以不同生長溫度的氮化銦鎵為研究目標，所生長的結構為氮化鎵/氮化銦鎵雙異質結構奈米柱。在此以X光繞射分析(XRD)來進行薄膜上的氮化銦鎵成分分析，以光致螢光(PL)、微光致螢光(μ-PL)、陰極射線螢光(CL)來進行氮化鎵與氮化銦鎵的螢光分析與成分計算。針對奈米柱上氮化銦鎵的成分分析與厚度的量測，主要是以穿透式電子顯微鏡(TEM)與能量散佈分析儀 (EDS)來進行。在形貌方面則以掃描式電子顯微鏡(SEM)為主。電致螢光的結構與發光也已在此論文中完成。

The goal of this thesis is to grow InGaN at different temperatures in the form of GaN/InGaN double-heterojunction nanorods. XRD is used to analyze the In composition of film. PL, μ-PL, and CL are used to study the luminescence of InGaN and GaN, and calculation of In composition. For nanorods, the TEM and EDS are the tools to study the In composition and InGaN thickness. SEM is used to study the sample morphology. The work of EL has also been done in this thesis.

目錄
致謝 1
中文摘要 2
英文摘要 3
目錄 4
第一章 緒論 6
第二章 量測系統與原理介紹 10
2-1 電子顯微鏡分析 10
2-1-1 掃描式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope,
SEM) 10
2-1-2 穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron Mocroscope,TEM) 11
2-1-3 能量散佈分析儀 (Energy Dispersive Spectrometer, EDS) 12
2-2 試片光性特性量測裝置 13
2-2-1光致螢光(Photoluminescence,PL) 13
(a) 光致螢光機制 14
(b) 光致螢光系統裝置 15
2-2-2 陰極射線螢光(Cathodoluminescience,CL) 16
2-3 X光繞射儀 (X-ray diffraction, XRD ) 17
2-4 反射式高能電子繞射裝置(Reflection High-energy Electron Diffraction, RHEED) 19
第三章 磊晶系統與磊晶實驗 25
3-1 分子束磊晶系統（Molecular Beam Epitaxy, MBE） 25
3-2 樣品之製備 27
3-2-1 基板之準備工作 28
3-2-2 樣品之磊晶程序 29
3-3 樣品成長參數 31
第四章 實驗結果與討論 36
4-1 不同溫度之雙異質結構氮化銦鎵/氮化鎵奈米柱系列 36
4-1-1反射式高能電子繞射圖(RHEED) 36
4-1-2 X光繞射分析(XRD) 38
4-1-3 光致螢光(PL) 43
4-1-4微光致螢光(μ-PL) 45
4-1-5掃描式電子顯微鏡(SEM) 49
4-1-6 陰極射線螢光(CL) 51
4-1-7穿透式電子顯微鏡(TEM) 56
4-1-8能量散佈分析儀 (EDS) 57
4-2 電致螢光結構製程與結果分析 61
第五章 結論 64
參考資料 66

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(13)Zhe Chuan Feng editor, “III-Nitride Semiconductor Materials”.