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論文名稱 Title |
氮化銦鎵奈米發光二極體之磊晶成長製作和特性之研究 InGaN Nano-LEDs:Growth, Fabrication, and Characterizations |
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系所名稱 Department |
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畢業學年期 Year, semester |
語文別 Language |
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學位類別 Degree |
頁數 Number of pages |
48 |
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研究生 Author |
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指導教授 Advisor |
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召集委員 Convenor |
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口試委員 Advisory Committee |
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口試日期 Date of Exam |
2007-07-09 |
繳交日期 Date of Submission |
2007-08-13 |
關鍵字 Keywords |
氮化銦鎵 InGaN |
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統計 Statistics |
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中文摘要 |
在本論中主要是以成長及製作奈米柱發光二極體為研究目標。藉由電漿輔助分子束磊晶系統,成長氮化鎵/氮化銦鎵雙異質結構奈米柱於矽(111)基板,以高V/III成長無緩衝層奈米柱,控制奈米柱密度達到1010 cm-2。本文以場發射掃描式電子顯微鏡(SEM)觀察磊晶形貌,並以X光繞射與能量散佈分析儀(EDS)分析氮化銦鎵中銦含量,在螢光的分析上,利用陰極射線螢光(CL)預測發光二極體激發光波長。 |
Abstract |
The goal of this thesis is to grow GaN/InGaN double- heterojunction (DH) nanorods through the technique of molecular beam epitaxy (MBE), and fabrication nano-LEDs. Images of scanning electron microscopy (SEM) show the high density nanorods (1010 cm-2) have hexagonal symmetry. Results of X-ray diffraction (XRD), and Energy Dispersive Spectrometer (EDS) show that the InGaN layer is grown successfully. Cathodo-luminescence (CL) measurements will be presented. |
目次 Table of Contents |
摘要……………………………………………………………..…...….. 1 Abstract …………………………………...…………………..…...……. 2 目錄……………………………...……………………………………… 3 第一章 緒言……………………………………………………...…… 5 第二章 分子束磊晶系統與樣品成長製作簡介…………………...… 7 2-1 分子束磊晶系統………………………………………………… 7 2-2 磊晶程序………………………………………………………...12 2-3 電子束蒸鍍系統………………………………………………...16 2-4 元件的製作……………………………………………………...18 第三章 量測系統之原理及簡介……………………………………..20 3-1 利用電子束的量測………..…………………………………….20 3-1-1掃描式電子顯微鏡(SEM)…………………….………….21 3-1-2能量散佈分析(EDS)……………………………..……….22 3-1-3反射式高能電子繞射裝置(RHEED)…………………….23 3-1-4陰極射線螢光(CL)……………………………………….24 3-2 X光繞射分析(XRD)……………………………………………26 第四章 實驗結果與討論……………………………………………..27 4-1 氮化鎵成長於矽(111)之磊晶方位……......…….……………...25 4-2 樣品的形貌…...……………….………………….......................30 4-3 氮化銦鎵銦含量分析………….………………………………..35 4-4 陰極射線螢光分析……………………..…….……..…………..40 4-5 元件I-V曲線………………………………………….……...…45 第五章 結論…………………………………………………………..46 參考資料……………………………………………………………..…47 |
參考文獻 References |
[1] E. Fred Schubert “Light Emitting Diode” [2]Tatsuo Ohashi, Tetsuya Kouno, Mizue Kawai, Akihiko Kikuchi, and Katsumi Kishino, Phys. S. S. 12, 2850 (2004). [3]Akihiko Kikuchi, Makoto Tada, Kyoko Miwa, and Katsumi Kishino, Jpn. JAppl. Phys. 43, L1524 (2004). [4]D. C.Streit and F. G.. Allen, J. Appl. Phys. 61, 2894 (1987). [5]S. M. Gates, P. R. Kunz, and C. M. Greenlief, Surf. Sci. 207, 364 (1989) [6]陳力俊 主編 中國材料科學學會 “材料電子顯微鏡學” [7]汪建民 主編 中國材料科學學會 “材料分析”P.170 [8]M. A. Herman and H. Sitter, “Molecular Beam Epitaxy (Fundamentals and Current Status)” [9]Jacques I. Pankove, “Optical Process in Semiconductors”, Dover Publications, Inc. New York (1975) [10] Hung-Ying Chen, Hon-Way Lin, Chang-Hong Shen, and Shangjr Gwo, Appl. Phys. Letters 89, 243105 (2006) [11]蕭慶廉,“以電漿輔助分子束磊晶於矽基板形成氮化鎵奈米柱之成長與分析”中華民國博士論文 (2002) [12]C. Caetano, L. K. Teles, M. Marques, A. Dal Pino, Jr. ,and L. G. Ferreira, Phys. Rev. B 74, 045215 (2006). [13]胡振國 主編 全華科技圖書公司 “半導體元件” [14]杜彥潔,“以電漿輔助分子束磊晶成長之氮化銦鎵/氮化鎵雙異質結構奈米柱之研究”中華民國碩士論文 (2006) |
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