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博碩士論文 etd-0813107-155526 詳細資訊
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論文名稱
Title
氮化銦鎵奈米發光二極體之磊晶成長製作和特性之研究
InGaN Nano-LEDs:Growth, Fabrication, and Characterizations
系所名稱
Department
畢業學年期
Year, semester
語文別
Language
學位類別
Degree
頁數
Number of pages
48
研究生
Author
指導教授
Advisor
召集委員
Convenor
口試委員
Advisory Committee
口試日期
Date of Exam
2007-07-09
繳交日期
Date of Submission
2007-08-13
關鍵字
Keywords
氮化銦鎵
InGaN
統計
Statistics
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中文摘要
在本論中主要是以成長及製作奈米柱發光二極體為研究目標。藉由電漿輔助分子束磊晶系統,成長氮化鎵/氮化銦鎵雙異質結構奈米柱於矽(111)基板,以高V/III成長無緩衝層奈米柱,控制奈米柱密度達到1010 cm-2。本文以場發射掃描式電子顯微鏡(SEM)觀察磊晶形貌,並以X光繞射與能量散佈分析儀(EDS)分析氮化銦鎵中銦含量,在螢光的分析上,利用陰極射線螢光(CL)預測發光二極體激發光波長。
Abstract
The goal of this thesis is to grow GaN/InGaN double- heterojunction (DH) nanorods through the technique of molecular beam epitaxy (MBE), and fabrication nano-LEDs. Images of scanning electron microscopy (SEM) show the high density nanorods (1010 cm-2) have hexagonal symmetry. Results of X-ray diffraction (XRD), and Energy Dispersive Spectrometer (EDS) show that the InGaN layer is grown successfully. Cathodo-luminescence (CL) measurements will be presented.
目次 Table of Contents
摘要……………………………………………………………..…...….. 1
Abstract …………………………………...…………………..…...……. 2
目錄……………………………...……………………………………… 3
第一章 緒言……………………………………………………...…… 5
第二章 分子束磊晶系統與樣品成長製作簡介…………………...… 7
 2-1 分子束磊晶系統………………………………………………… 7
 2-2 磊晶程序………………………………………………………...12
 2-3 電子束蒸鍍系統………………………………………………...16
 2-4 元件的製作……………………………………………………...18
第三章 量測系統之原理及簡介……………………………………..20
 3-1 利用電子束的量測………..…………………………………….20
3-1-1掃描式電子顯微鏡(SEM)…………………….………….21
3-1-2能量散佈分析(EDS)……………………………..……….22
3-1-3反射式高能電子繞射裝置(RHEED)…………………….23
3-1-4陰極射線螢光(CL)……………………………………….24
3-2 X光繞射分析(XRD)……………………………………………26
第四章 實驗結果與討論……………………………………………..27
 4-1 氮化鎵成長於矽(111)之磊晶方位……......…….……………...25
 4-2 樣品的形貌…...……………….………………….......................30
4-3 氮化銦鎵銦含量分析………….………………………………..35
4-4 陰極射線螢光分析……………………..…….……..…………..40
4-5 元件I-V曲線………………………………………….……...…45
第五章 結論…………………………………………………………..46
參考資料……………………………………………………………..…47
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