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博碩士論文 etd-0816110-172617 詳細資訊
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論文名稱
Title
在不同基板上成長M 面氮化鎵之陰極發光研究
The CL study of m plane GaN grown on different substrates
系所名稱
Department
畢業學年期
Year, semester
語文別
Language
學位類別
Degree
頁數
Number of pages
72
研究生
Author
指導教授
Advisor
召集委員
Convenor
口試委員
Advisory Committee
口試日期
Date of Exam
2010-07-09
繳交日期
Date of Submission
2010-08-16
關鍵字
Keywords
陰極發光、背向散射繞射
CL, EBSD
統計
Statistics
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中文摘要
本文主要是比較在不同基板上成長的非極化之氮化鎵
(non-polar GaN),以掃描式電子顯微鏡 (SEM)、高解析度X
光繞射(HRXRD)、電子背向散射繞射 (EBSD)及陰極螢光
(CL),進行結晶品質、表面形貌及光譜之分析。本文並藉由
觀察改變溫度及加速電壓在陰極螢光光譜的現象,配合穿隧
式電子顯微鏡(TEM)的影像。了解陰極螢光光譜與晶體缺陷
之間的利害關係。
Abstract
M-plane non-polar GaN grown on different substrates are
analyzed and compared in this thesis. The crystal quality,
morphology and spectra of the m-plane non-polar GaN are
measured by field-emission electron microscopy (FESEM), high
resolution X-ray diffraction (HRXRD), electron back-scatter
diffraction (EBSD), and Cathodoluminescence (CL). The
temperature dependent and acceleration voltage dependent CL
spectra are compared with transmission electron microscopy
(TEM) image to understand the concern of CL spectra and
dislocation.
目次 Table of Contents
目錄 ------------------------------------------------------------------------------1
圖表目錄 ------------------------------------------------------------------------3
摘要 ------------------------------------------------------------------------------7
Abstract ---------------------------------------------------------------------------8
第一章 序論 ---------------------------------------------------------------9
第二章 量測系統與原理介紹 ----------------------------------------11
2-1 掃描式電子顯微鏡 ----------------------------------------------------11
2-2 X-ray 繞射 -------------------------------------------------------------17
2-3 電子背向散射繞射 ----------------------------------------------------18
2-4 能量散佈光譜儀 -------------------------------------------------------21
2-5 陰極螢光 ----------------------------------------------------------------23
第三章 樣品介紹 -------------------------------------------------------27
3-1 三族氮化物結構 -------------------------------------------------------27
3-2 樣品成長參數與結構 -------------------------------------------------28
第四章 實驗結果與分析 ----------------------------------------------31
4-1 掃描式電子顯微鏡 ----------------------------------------------------31
4-2 X-ray 繞射 --------------------------------------------------------------34
4-3 電子背向散射繞射 ----------------------------------------------------39
4-4 能量散佈光譜儀 -------------------------------------------------------42
4-5 陰極螢光 ----------------------------------------------------------------44
第五章 結論 ---------------------------------------------------------------59
參考文獻 ------------------------------------------------------------------------60
附錄
附錄A:EDS 原理與操作流程 ----------------------------------------------61
附錄B:EBSD 操作流程 -----------------------------------------------------65
附錄C:EDS 量測結果與形貌關係 ------------------------------------------68
參考文獻 References
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[13]Microscopy of semiconducting materials 2003 p.291
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