本文以光致螢光（PL）ヽ螢光激光光譜(PLE)ヽ和吸收光譜（Abs）等分析方法來研究非極化氮化鎵（m-GaN）的能階大小，並與極化氮化鎵（c-GaN）的發光效率相互比較分析。其極化（c-）與非極化(m-)氮化鎵薄膜樣品皆以電漿輔助分子束磊晶（PAMBE）技術成長在鋁酸鋰基板（LAO）上，以藉由光學量測判斷氮化鎵薄膜之結晶品質與雜質結構。

Group III nitrides have recently attracted great interest and are intensively studied for that cover continuously from the ultraviolet to nearinfrared region by proper alloying.Therefore, group III nitrides have wide applications inoptoelectronic devices, such as light-emitting diodes,ultraviolet or blue lasers, and full color displays.
Unintentionally doped m-GaN thin films have been epitaxially grown on LAO by PAMBE. The optical characteristics were investigated with photoluminescence (PL), photoluminescence excitation (PLE), and absorption spectrum.

摘要
第一章 前言 1
第二章 實驗基本原理 2
2-1 光致螢光 (Photoluminescence, PL) 原理 1
2-1-1　躍遷機制 3
2-1-2　溫度對光致螢光光譜的影響 7
2-1-3　雷射強度對光致螢光光譜的影響 10
2-2 螢光激發光譜 (Photoluminescence Excitation, PLE) 原理 11
2-3 吸收光譜 (Absorption Spectrum) 原理 12
第三章 儀器設備介紹 13
3-1 光致螢光(PL) 系統裝置 13
3-2 螢光激發光譜 (PLE) 系統設置 21
3-3 吸收光譜 (ABS) 系統架設 23
第四章 實驗結果分析 24
4-1 樣品製備之生長參數與SEM圖 24
4-1-1　樣品製備與生長條件 24
4-1-2　電子顯微鏡（SEM）分析圖 26
4-2 X-ray繞射晶格 (XRD) 之分析 28
4-3 光致螢光光譜之分析 31
4-3-1　變溫光致螢光分析 31
4-3-2　變溫螢光光譜峰值分析 35
4-3-3　變溫螢光光譜強度分析 38
4-3-4　變溫螢光光譜半高寬（FWHM）分析 41
4-3-5　改變雷射激發強度的光致螢光光譜分析 42
4-4 螢光激發光譜之分析 46
4-5 吸收光譜之分析 50
第五章 結論 53
Reference 54
Appendix A　光致螢光系統測試量測 55

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