本研究應用X光繞射(XRD)技術分析氮化銦(InN)的銦(In)金屬存在訊號。實驗使用的兩塊氮化銦樣品都是以電漿輔助分子束磊晶(plasma-assisted molecular beam epitaxy, PAMBE)來成長。樣品A是在藍寶石（0001）基板上使用氮化鎵當作緩衝層成長出來的氮化銦，而樣品B則是直接在矽基板上成長出來的氮化銦。利用X光繞射我們可以看出樣品A有In(101)的訊號，樣品B有InN(10-11)的訊號。但是這兩個訊號峰值的位置十分接近，難以區分真實性，而且掃描式電子顯微鏡無法顯示樣品的表面有銦金屬的存在。因此，我們改用高溫X光繞射，藉由銦和氮化銦的熔點不同來辨識真實的訊號。再者，酸蝕刻也可以判斷樣品的表面是否有銦金屬的存在。

In this research, X-ray Diffraction is used to detect the existence of the In metal signal of the Indium Nitride (InN) through the analysis of two samples grown from the plasma-assisted molecular beam epitaxy (PAMBE). Sample A was grown on the Al2O3(0001) substrate with Gallium Nitride as a buffer layer, while Sample B was grown directly on the Si(111) substrate. Through X-ray Diffraction, we discovered the In(101) signal on Sample A and the InN(10-11) signal on Sample B. However, the two peaks of both signals were so close that it was difficult to differentiate them. Besides, the scanning electron microscope failed to show the existence of the In metal on the surface of both InN samples. Therefore, the high temperature XRD was employed to identify the true signal based on the different melting points between InN and In. Further, an acid etching method was also applied to recognize the existence of the In metal on the surface of the sample.

第一章 緒論…………………………………………………………1
第二章 樣品簡介……………………………………………………2
第三章 原理介紹………….………...……………………………..5
3-1 X光繞射原理………………....……………………….…….5
3-2 布拉格定律(Braggs’Law)……………………………..….6
3-3 2θ-ω scan………………...………………………………7
3-4 ω-scan………………...…………………………...……….8
第四章 實驗儀器介紹…………………...…………………………...9
4-1 X-ray 實驗裝置………………….…………………………9
4-2 高溫X-Ray 實驗裝置…………….…..……………………11
4-3 4-3 掃描式電子顯微鏡 (SEM)……...……………………12
第五章 氮化銦之金屬訊號之實驗分析……………………………15
5-1 電子顯微鏡分析(SEM)…………….……………………...15
5-2 HR X-ray 繞射分析………………….…………….............17
5-3 高溫XRD繞射儀量測分析………………………………....19
5-4 HCl 蝕刻分析…………………….......................................25
第六章 結論……………………........................................................29
參考資料…………………………………...…………………………...31
附錄 A………………………………………………………………….32

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