IC封裝中打線接合主要以金作為線材，然而近幾年金價不斷飆漲，基於降低成本考量，開始有發展其它製程來取代金線製程的趨勢。相較於金線，銅線有更好的導電導熱性，而銅導線與晶片接合的好壞對於整個IC產品的好壞影響甚大，因此研究銅線微接點的可靠度有其必要性。
在本實驗裡，將試片分為兩組，分別以205℃、225℃進行時效熱處理；在本次實驗裡，觀察到有三種介金屬相產生，分別是Cu9Al4、CuAl、CuAl2，隨著時效時間增加，Al會逐漸消耗，而介金屬層會持續增厚，當Al消耗完畢，介金屬層厚度將不再增大，取而代之的是介金屬層內部的介金屬相的增減，因為Cu 原子數量遠大於Al原子數量，所以介金屬相最後會轉變為富銅相Cu9Al4；此外，因為銅鋁擴散速率的不同，隨著擴散的進行，在界面處會有voids產生，當voids不斷的產生累積、合併之後，會在Cu wire跟介金屬層之間形成連續的crack，造成接點的可靠度降低。

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壹、前言 1
1-1研究背景 1
1-2研究目的 3
貳、文獻回顧 4
2-1打線接合技術 4
2-2打線接合材料之性質與比較 5
2-2-1金（Au） 5
2-2-2 銅（Cu） 5
2-3界面反應 6
2-4介金屬成長動力學 7
2-5 Cu-Al間介金屬化合物的微觀組織 8
參、實驗方法 11
3-1實驗目的 11
3-2試片與時效處理 11
3-3試片製作 11
3-4試片分析 12
肆、實驗結果 13
4-1高溫時效對銅導線接點的影響 13
4-2介金屬化合物界定 14
4-3TEM分析 16
伍、討論 17
5-1時效熱處理後銅鋁微接點的垂直相變化 17
5-2時效熱處理後銅鋁微接點邊緣的橫向相變化 17
5-3銅鋁微接點的破壞機制 18
陸、結論 19
柒、參考文獻 20

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