本文是以光致螢光（PL）的量測來研究氮化銦奇特的雙螢光峰性質。氮化銦薄膜是用電漿輔助分子束磊晶（plasma-assisted molecular beam epitaxy, PAMBE）成長在藍寶石基板（001）及矽基板（111）上，本實驗選用皆有雙螢光峰特性之樣品進行研究。
在光致螢光的實驗量測中，我們藉由改變量測溫度和激發功率密度，來研究PL的峰值位置，強度的變化，利用固態偵測器（PbS）量測。
我們利用Varshni equation擬合溫度變化下螢光峰值對溫度的趨勢。另外，在不同激發雷射功率密度下，可找出一線性關係，從光學量測中討論氮化銦的雙螢光峰。

Unintentionally doped InN thin films have been epitaxially grown on Al2O3 (001) and Si (111) by plasma-assisted molecular beam epitaxy (PAMBE).In this thesis, all the samples are two luminenscent peaks. In analyzing the PL spectra, we look into the variations in peak position, intensities by changing the temperature and the laser power, and PbS detector was used. The temperature dependent PL peak position versus temperature is fitted with Varshni equation. Excitation laser power dependent PL is found to follow a linear relation. The two luminescent peaks of InN are discussed by optical measurement.

學位論文審定書 I
致謝 II
摘要 III
Abstract IV
目錄 V

第一章 前言 1
1-1 導論 1
1-2 氮化銦發展簡介 2
第二章 實驗基本原理 4
2-1 霍爾效應（Hall Effect）原理 4
2-2 X-ray繞射儀原理 7
2-3 微拉曼光譜儀（Micro-Raman Spectroscopy）原理 9
2-4 掃瞄式電子顯微鏡（Scanning Electron Microscopy，SEM）原理 10
2-5 陰極發光（Cathodoluminescence，CL）原理 12
2-6 光致螢光（Photoluminescence，PL）原理 13
2-6-1 溫度對光致螢光光譜的影響 16
2-6-2 雷射功率對光致螢光光譜的影響 18
3-1 霍爾量測系統 19
3-2 X-ray繞射儀 21
3-3 微拉曼光譜儀 22
3-4 掃描式電子顯微鏡 23
3-5 陰極發光實驗系統 24
3-6 光致螢光實驗系統 26
第四章 實驗結果分析 33
4-1 樣品製備之生長參數與SEM圖 33
4-1-1 樣品製備與生長條件 33
4-1-2 電子顯微鏡（SEM）圖 36
4-2 X-ray分析 37
4-3 微拉曼光譜分析 40
4-4 陰極發光光譜分析 43
4-5 光致螢光光譜分析 46
4-5-1 變溫光致螢光分析 46
4-5-2 變溫螢光光譜峰值分析 51
4-5-3 變溫螢光光譜強度分析 54
4-5-4 改變雷射激發強度的螢光光譜分析 59
第五章 討論 64
第六章 結論 65
附錄一 67
附錄二 69
參考文獻 71

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