Responsive image
博碩士論文 etd-0831109-113132 詳細資訊
Title page for etd-0831109-113132
論文名稱
Title
低溫超臨界二氧化碳成長 ZnO 奈米管
Growth of ZnO Nanotubes by CO2 Supercritical Fluid Treatment at Low-Temperature
系所名稱
Department
畢業學年期
Year, semester
語文別
Language
學位類別
Degree
頁數
Number of pages
83
研究生
Author
指導教授
Advisor
召集委員
Convenor
口試委員
Advisory Committee
口試日期
Date of Exam
2009-05-13
繳交日期
Date of Submission
2009-08-31
關鍵字
Keywords
奈米管、超臨界流體、氧化鋅、二氧化碳
ZnO, Nanotubes, CO2, Supercritical Fluid
統計
Statistics
本論文已被瀏覽 5807 次,被下載 3206
The thesis/dissertation has been browsed 5807 times, has been downloaded 3206 times.
中文摘要
超臨界流體二氧化碳(CO2)是一種以低溫高壓處裡材料的方式,在本論文的研究之中,利用直流濺鍍的方法將Zn薄膜鍍在玻璃基板上,之後再將鍍好Zn薄膜的玻璃,置入60OC的超臨界二氧化碳流體中,並且其中混入0.15體積百分比的水,經過一個小時的靜置反應後,觀察發現鋅薄膜消失,並且產生出ZnO的奈米管之晶簇,從掃瞄式電子顯微鏡(SEM)與穿透式電子顯微鏡(TEM)中可以清楚發現,ZnO的奈米結構中是以多晶奈米管柱的方式形成。
此外,本論文還同時發現,如果以ZnO薄膜置入超臨界處理後,會有完全不相同的結構與組成,在TEM之下觀測得為ZnO單晶的形式奈米結構,並且結構為單晶柱狀,與單純的Zn薄膜所製成的多晶管完全不相同,在本論文之中,會提到有可能的形成機制,並且對此機制做更近一步研究與探討。
Abstract
A low-temperature method, supercritical CO2 fluid (SCCF) technology, was applied for oxidation of metal Zn film on glass substrate at 60°C. In this study, Zn film was deposited by DC sputtering at room temperature and post-treated by SCCF, which is mixed with 0.15 vol % H2O. The scanning electron microscopy (SEM) images and transmission electron microscopic (TEM) indicate that high density ZnO Nanotubes were formed on the glass substrate. SCCF technology has shown successful oxidation the Zinc at low temperature for the first time.
目次 Table of Contents
目錄
英文摘要 2
中文摘要 3
第一章 序論
1.1 ZnO材料簡介 9
1-2 超臨界流體簡介 14
圖(1) 物質三相圖 15
圖(2) 二氧化碳三相圖 16
表(1) 液態、氣態、超臨界態,密度、擴散係數、黏滯係數比較 17
表(2) 各種常見氣體物質超臨界溫度與壓力 18
圖(3) 超臨界二氧化碳萃取咖啡因製程無咖啡因的咖啡豆 20
圖(4)紫杉醇與銀杏銀 21
圖(5) 超臨界二氧化碳清洗光阻 24
第二章 實驗步驟與方法
2-1 Zn與ZnO沉積薄膜 27
2-1-1基版清洗 27
2-1-2濺鍍成長薄膜 27
圖(6) 靶磁控濺鍍系統(Multi-Target Sputter) 28
2-2-1 超臨界二氧化碳處理 29
圖(7) 超臨界處理裝置 29
第三章 實驗結果與討論
實驗一:Zn薄膜超臨界二氧化碳+水處理 30
圖(8) 80nm 鋅薄膜鍍在玻璃基版上 30
圖(9) 試片經過不同超臨界處理後的外觀 31
圖(10) n-k 薄膜量測 穿透率vs波長 32
圖(11) Zn薄膜未經超臨界處理SEM 33
圖(12) Zn經過超臨界二氧化碳+水處理後SEM 34
圖(13) 超臨界處理後Zn形成奈米結構SEM圖 35
圖(14) SEM經放大處理可以發現納米柱有中孔 36
圖(15) 奈米管柱TEM圖 37
圖(16) 高解析TEM圖 38
圖(17) 奈米管電子束繞射圖(DP) 39
圖(18) 奈米管EDS分析圖 40
圖(19) ZnO奈米管PL光譜 41
實驗二:Zn薄膜超臨界二氧化碳+水+乙醇處理 42
圖(20) Zn薄膜未處理前SEM圖 42
圖(21) 奈米管2000倍SEM圖 43
圖(22) 奈米管8000倍SEM圖 44
圖(23) 奈米管30000倍SEM圖 45
圖(24) 奈米管35000倍SEM側拍圖 46
圖(25) 奈米管80000倍SEM圖 47
圖(26) 奈米管TEM明場與暗場影像 48
圖(27) 奈米管TEM高倍解析影樣(管身) 49
圖(28) 奈米管TEM高倍解析影樣(管頭) 50
圖(29) 奈米管電子束繞射圖(DP) 51
圖(30) 奈米管TEM中EDS材料分析 52
圖(31) ZnO奈米管PL光譜 53
實驗三:ZnO薄膜超臨界二氧化碳+水處理 54
圖(32) 未經超臨界處理的ZnO表面SEM 54
圖(33) 經超臨界處理後ZnO表面奈米結構 55
圖(34) ZnO奈米晶柱簇狀成型 56
圖(35) ZnO奈米晶柱簇狀結晶斷面 57
圖(36) 奈米晶柱TEM明場影像分析 58
圖(37) 奈米晶柱電子束繞射(DP) 59
圖(38) 奈米柱TEM中EDS材料分析 60
實驗四:ZnO薄膜超臨界二氧化碳+水+乙醇處理 61
圖(39) 未經處理的ZnO的SEM表面狀態 61
圖(40) 經超臨界處理500倍SEM表面影像 62
圖(41) 奈米線SEM 5000倍觀測影像 63
圖(42) ZnO奈米線TEM明場影像 64
圖(42-1) ZnO奈米線電子束繞射(DP) 65
圖(42-2) ZnO奈米線TEM中的EDS分析 66
弟四章 結果與模型討論 67
圖(43) ZnO溶解度與PH值關係圖 67
模圖(1) 液滴形成並與Zn發生反應 68
模圖(2) Zn離子擴散至液滴表面 68
模圖(3) 因液滴表面PH改變析出ZnO 69
模圖(4) ZnO奈米晶粒因表面張力沉降 69
模圖(5) 於液滴側面形成ZnO側壁 70
模圖(6) ZnO側壁不斷向上成長 70
模圖(7) ZnO側壁不斷持續向上成長 71
模圖(8) ZnO側壁不斷持續向上成長並且向下侵蝕 71
模圖(9) ZnO側壁不斷持續向上成長並且向下侵蝕 72
模圖(10) 形成ZnO奈米管 72
模型論證實驗(一) 74
圖(44) 超臨界處理20分鐘後 SEM影像 74
圖(45) 超臨界處理30分鐘後 SEM影像 75
圖(46) 經過超臨界處理40分鐘後SEM影像 76
模型論證實驗(二) 77
圖(47) 不同的放置方式與奈米結構生成與否的關係 77
模型論證實驗(三) 78
圖(48) 不同酸鹼度加入後 實驗結果示意圖 78
結論 79
第五章 參考文獻 80
參考文獻 References
[1]Schuler T., Aegerter M.A., “Optical, Electrical and Structural Properties of Sol Gel ZnO:Al Coatings”, Thin Solid Films, 351, 125-131 , 1999.
[2]Govender K., Boyle D.S., O’Brien P., Binks D., West D., Coleman D., “Room-Temperature Lasing Observed from ZnO Nanocolumns Grown by Aqueous Solution Deposition”, Advanced Materials, 14, 1221-1224 , 2002.
[3]Bao D., Gu H., Kuang A., “Sol-gel-derived c-axis oriented ZnO thin films”, Thin Solid Films, 312, 37-39 , 1998.
[4]Abdullah M., Lenggoro I.W., Okuyama K., “In situ Synthesis of Polymer Nanocomposite Electrolytes Emitting a High Luminescence With a Tunable Wavelength”, J. Phys. Chem. B, 107, 1957-1961 , 2003.
[5]Wu J., Xie C., Bai Z., Zhu B., Huang K., Wu R., “Preparation of ZnO-Glass Varistor from Tetrapod ZnO Nanopowders”, Materials Science and Engineering, B95, 157-161, 2002.
[6]Base, Jr. C.F., Mesmer, R.E., “The Hydrolysis of Cations”, Krieger Pub., Florida, USA , 1986.
[7]Bahnemann D.W., Kormann C. and Hoffmann M.R., “Preparation and Characterization of Quantum Size Zinc Oxide: a Detailed Spectroscopic Study”, J. Phys. Chem., 91, 3789-3798, 1987.
[8]Blus L., “Electronic Wave Functions in Semiconductor Clusters: Experiment and Theory”, J. Phys. Chem, 90, 2555-2560 , 1986.
[9]Oskam G., Hu Z., Penn R.L., Pesika N., Searson P.C., “Coarsening of Metal Oxide Nanoparticles”, Phys. Rev. E, 66, 011403 , 2002.
[10]Wong E.M., Bonevich J.E., Searson P.C., “Growth Kinetics of Nanocrystalline”
[11]K. Zosel and Angew, “Separation with supercritical gases: Practical applications”, Chem. Int. Ed. Engl., vol. 17, no. 10, pp. 702-709, 1978.
[12]P. M. F. Paul and W. S. Wise, “The principles of gas extraction”, London: Mills&Boon Ltd., 1971.
[13]J. F. Brennecke and C. A. Eckert, “Phase equilibria for supercritical fluid process design”, AIChE Journal, vol. 35, no. 9, pp. 1049-1427, 1989.
[14]J. B. Rubin et al., “A comparison of chilled DI water/ozone and CO2-based supercritical fluids as replacements for photoresist-stripping solvents”, IEEE/CPMT Int'l Electronics Manufacturing Tech Sym., pp. 308-314, 1998.
[15]L. B. Rothman, R. J. Robey, M. K. Ali, and D. J. Mount, “Supercritical fluid processes for semiconductor device fabrication”, IEEE/SEMI Adv. Semiconductor Manufacturing Conf., pp. 372- 375, 2002.
[16]W. H. Mullee, M. A. Biberger, and P. E. Schilling, United States Patent, Patent 6500605 B1, 2002.
[17]J. W. King, L. L. Williams, “Utilization of critical fluids in processing semiconductors and their related materials”, Current Opinion in Solid State and Materials Sci., vol. 7, no. 4-5, pp. 413-424, 2003.
[18]W. B. Choi, D. S. Chung, J. H. Kang, H. Y. Kim, Y. W. Jin, I. T. Han, Y. H. Lee, J. E. Jung, N. S. Lee, G. S. Park, J. M. Kim, “Fully sealed, high-brightness carbon-nanotube field-emission display”, Appl. Phys. Lett., vol. 75, no. 20, pp. 3129-3131, 1999.
[19]J. L. Kwo, M. Yokoyama, W. C. Wang, F. Y. Chuang, I. N. Lin, “Characteristics of flat panel display using carbon nanotubes as electron emitters”, Diamond Relat. Mater., vol. 9, no. 3-6, p.1270-1274, 2000.
[20]Y. Cheng and O. Zhou, “Electron field emission from carbon nanotubes”, Comptes Rendus Physique, vol. 4, no. 9, pp. 1021-1033, 2003.
[21]E. Kondoh, M. R. Baklanov, H. Bender, K. Maex, “Structural change in porous silica thin film after plasma treatment”, Electrochem. and Solid-State Lett., vol. 1, no. 5, pp. 224-226, 1998.
[21]M. Z. Yates, D. L. Apodaca, M. L. Campbell, E. R. Birnbaum, T. M. McCleskey, “Micelle formation and surface interactions in supercritical CO2. Fundamental studies for the extraction of actinides from contaminated surfaces”, Chem. Commun. (Cambridge), 2001.
[22]Kim, S. and Johnston, K. P., “Supercritical fluids”, T. G. Squires and M. E. Paulaitis, Eds., ACS Symposium Series, vol. 329, p. 42-55, 1987.
[23]Lee, M. L. and Markides, K. E., Eds., “Analytical supercritical fluid chromatography and extraction”, Chromatography Conferences, Inc., Provo, UT, 1990.
[24]C. H. Lee, S. H. Hur, Y. C. Shin, J. H. Choi, D. G. Park, and K. Kim, “Charge-trapping device structure of SiO2/SiN/high-k dielectric Al2O3 for high-density flash memory”, Appl. Phys. Lett., vol. 86, no. 15, pp. 152908, 2005.
[25]K. Cherkaoui, A. Negara, S. McDonnell, G. Hughes, M. Modreanu, and P. K. Hurley, “Electrical properties of HfO2 films formed by ion assisted deposition”, Intern. Conf. on Microelectronics, pp. 351-354, 2006.
[26]Q. Fang, J. Y. Zhang, Z. M. Wang ,J. X. Wu, B. J. O’Sullivan, P. K. Hurley, T. L. Leedham, H. Davies ,M. A. Audier ,C. Jimenez ,J. P. Senateur , and I. W. Boyd, “Characterisation of HfO2 deposited by photo-induced chemical vapour deposition”, Thin Solid Films, vol. 427, no. 1-2, pp. 391-396, 2003.
[27]M. Liu, Q. Fang, G. He, L. Q. Zhu, and L. D. Zhang, “Characteristics of HfOxNy thin films by rf reactive sputtering at different deposition temperatures”, J. Appl. Phys., vol. 101, no. 3, pp. 034107, 2007.
電子全文 Fulltext
本電子全文僅授權使用者為學術研究之目的,進行個人非營利性質之檢索、閱讀、列印。請遵守中華民國著作權法之相關規定,切勿任意重製、散佈、改作、轉貼、播送,以免觸法。
論文使用權限 Thesis access permission:校內外都一年後公開 withheld
開放時間 Available:
校內 Campus: 已公開 available
校外 Off-campus: 已公開 available


紙本論文 Printed copies
紙本論文的公開資訊在102學年度以後相對較為完整。如果需要查詢101學年度以前的紙本論文公開資訊,請聯繫圖資處紙本論文服務櫃台。如有不便之處敬請見諒。
開放時間 available 已公開 available

QR Code