本研究目的在探討電鍍參數和基板結晶方位對鎳在多晶銅基板上電鍍磊晶成長行為的影響。電鍍鍍液以氨基磺酸鎳為基礎，添加氯化鎳與硼酸。鍍層的分析使用配備能量散佈能譜儀和背向散射電子繞射儀的掃描式電子顯微鏡、掃描式歐傑電子顯微鏡、與穿透式電子顯微鏡。
掃描式電子顯微鏡及歐傑電子能譜分析結果顯示：經過電解拋光後的多晶銅基板，由於晶粒的結晶方位差異，導致基板表面出現粗糙和平坦兩種形貌。但是在電鍍初期，鎳會均勻的鍍覆在上述兩種形貌的表面，並未因粗糙度不同而導致鍍覆的選擇性。但是在低電流密度（0.01 A/dm2）之下，粗糙區的鍍層成長速率較高，而在高電流密度之下，二者的鍍層成長速率則無差異。
穿透式電子顯微鏡的觀察結果顯示：在低、中、高電流密度，以及30 oC、40 oC、60 oC、80 oC的鍍液溫度下得到的鎳鍍層，皆以磊晶成長的方式在銅基板上沈積，沈積時基板與鍍層方位完全吻合。換言之，在本研究所調變的參數範圍內，由氨基磺酸鎳鍍液電鍍的鎳鍍層，均以磊晶方式成長於各種不同方位的銅基板晶粒上。
背向散射電子繞射分析顯示，前述基板平坦區的晶粒方位為<001>//ND，而粗糙區的晶粒方位則為遠離<001>//ND 的方位，如<011>//ND或<-111>//ND。磊晶方式成長的鍍層，結晶方向以<001>//ND為主，厚度可達12 μm，與文獻中磊晶成長只侷限在基板上方100 nm內的結果明顯不同。

The present study aims at clarifying the effects of processing parameters and substrate orientation on the epitaxial growth of Ni on polycrystalline Cu by electrodeposition from a sulfamate solution. The deposits were analyzed by scanning electron microscopy (SEM), electron backscatter diffraction (EBSD), auger electron spectroscopy (AES) and transmission electron microscopy (TEM).
Two morphologies: rough and smooth, of the substrate surface were introduced by electropolishing. Auger electron spectroscopy showed that Ni was deposited on both areas without preference. However, the deposition rate for the rough area was slightly higher at a low current density of 0.01 A/dm2. At higher current densities, both areas possessed the same rate of deposition.
In-plane TEM results demonstrated that Ni deposited on Cu epitaxially regardless the orientation of the Cu grains, electrolyte temperature and current density. EBSD analysis indicated that the Ni epilayer with an orientation of <001>//ND grew epitaxially to as thick as 12 μm, whereas randomly oriented Ni nucleated on the epilayer having orientations of <011>//ND or <-111>//ND on prolonging deposition at current of 10 A/dm2. In other words, the epitaxial growth of Ni on Cu cannot be sustained to a thickness of hundreds of micrometers without a <001>//ND orientation.

第一章 緒論………………………………………………………...……...…...1
第二章 基礎理論與文獻回顧……………………………......………………...3
2.1 磊晶成長……………………………………………………...…………..3
2.1.1 基礎理論-熱力學……………………………...……………………..3
2.1.2 成長機制…………………………………..……………………...….4
2.1.2.1 Volmer-Weber島嶼狀成長模…………………………....…....5
2.1.2.2 Frank-Merwe層狀成長模型………………………….……....5
2.1.2.3 Stranski-Krastanov混合成長模型…………………….……...5
2.2 電鍍製程………………………………………………………………….6
2.2.1 電鍍的原理…………………………………………………………..6
2.2.1.1 氧化還原電位……………………….……………………......6
2.2.1.2 過電位………………………………………………...………6
2.2.1.3 欠電勢沉積……………………………………………...……7
2.2.2 電鍍的裝置……………………………………………………...…...7
2.2.3 電鍍的參數…………………………………………...……………...8
2.3 薄膜分析…………………………………………………...……………..8
2.3.1 循環伏特安培法………………………………………...…………...8
2.3.2 計時電流法………………………………………………...………...8
2.3.3 掃描式電子顯微鏡…………………………………………...……...9
2.3.4 歐傑電子能譜儀………………………………………………...…...9
2.3.5 穿透式電子顯微鏡………………………………………………....10
2.3.6 背向散射電子繞射儀………...…………………………………….11
2.3.7 X光繞射分析……………………...………………………………..12
2.4 電鍍參數參數對磊晶成長的影響……...………………………………12
2.4.1 添加物………………………………...…………………………….12
2.4.2 過電位…..……………………………...…………………………...14
2.4.3 鍍液成分………………………………...………………………….14
2.4.4 電流密度與電流波形……………………...……………………….14
2.4.5 基板方位……………………………………...…………………….15
2.4.6 基板顯微組織…………………………………...………………….17
第三章 實驗方法……………………………………………...…………...….20
3.1 電鍍製程…………………………………………………...……………20
3.1.1 基板準備………………………………………………...………….20
3.1.2 電鍍製程…………………………………………………...……….20
3.2 薄膜分析………………………………………………………...………21
3.2.1 掃描式電子顯微鏡觀察與分析……………………………...…….21
3.2.2 歐傑電子能譜儀觀察與分析…………………………………...….21
3.2.3 穿透式電子顯微鏡分析…………………………………………....22
3.2.4 背向散射電子繞射分析……………………...…………………….22
3.2.4.1 剖面背向散射電子繞射分析試片製作...…………………..22
3.2.4.2 操作參數…………………………………...………………..22
3.2.5 X光繞射分析………………………………………...………...…...23
第四章 實驗結果………………………………………………...……...…….24
4.1 掃描式電子顯微鏡與歐傑電子能譜儀觀察與分析……...…………24
4.2 穿透式電子顯微鏡觀察與分析……………………………...………26
4.3 背向散射電子繞射觀察與分析………………………………...……28
4.4 X光繞射分析……………………………………………………..…..30
第五章 討論………………………………………………………………..….31
第六章 結論………………………………………………………………..….35
第七章 參考文獻……………………………………………………..……….36
圖目錄

圖2-1 液相、氣相隨溫度變化的自由能。…………………………………...39
圖2-2 沉積物與基板界面示意圖。…………………………………...……….39
圖2-3 沉積物核胞之自由能與半徑之函數關係。……………………………40
圖2-4 磊晶成長的三種機制：(a)Volmer-Weber(VW)島狀成長模型(b)Frank-van der Merwe(FW)層狀成長模型(c)Stranski-Krastanov(SK)混合成長模型。…………………..………………………………...………40
圖2-5 電鍍裝置。………………………………………………………………41
圖2-6 脈衝電源示意圖。………………………………………………………41
圖2-7 參考電極裝置。…………………………………………………………42
圖2-8 典型可逆氧化還原循環伏安圖。………………………………………42
圖2-9 典型感測電極之CA圖。………………………………………...……43
圖2-10 電流對時間開根號倒數作圖。………………………………………..43
圖2-11 (a)背向散射電子繞射及菊池線產生之原理示意圖(b)由每組菊池線結合所形成的背向散射電子繞射圖形。……………………………..…44
圖2-12 多晶材料中每個晶粒的背向散射電子繞射圖形代表著不同的結晶取向。……………………………………………………………...………45
圖2-13 銅鍍在金(111)面上的原子力顯微鏡影像，過電位-150 mV，鍍液成份20 mM CuSO4＋0.1 M H2SO4＋(a)1 mM CTA(Br-)(b)1 mM CTA(HSO4-)(c)1 mM KBr。…………………………………………..45
圖2-14 在鍍液x mM CTA(Br-)＋20 mM CuSO4＋0.1 M H2SO4中鍍銅的循環伏特安培曲線，a曲線x＝0，b曲線x＝0.1，c曲線x＝1 mM CTA(Br-)。……………………………………………………………46
圖2-15 在鍍有STA銅基板鍍銅的X光電子繞射結果。(a)過電位為-0.2 V，銅的最強繞射峰由(110)面貢獻(b)過電位為-0.3 V，最強繞射峰消長為(111)，其中a是銅元素、b是氧化銅。...…………………..…………….46
圖2-16 在(a)未鍍STA的銅基板上及(b)事先鍍上STA的銅基板上鍍銅的(331)晶面比例，其比例隨過電位變化。……….……………..……………..47
圖2-17 過電位為-0.3 V之SEM影像(a)添加STA，成長物為針狀(b)不添加STA，成長物團簇球狀，類似花椰菜。……………………...………….47
圖2-18 添加STA基板、過電位為-0.3 V之TEM明場像。…………...……….48
圖2-19 鋅於兩種鍍液成份(a) 0.25 M ZnSO4＋0.5 M (NH4)2SO4，電流密度=15 mA/cm2；(b) 0.25 M ZnSO4＋0.1 M (NH4)2SO4，電流密度=20 mA/cm2，在銅基板(111)面上沉積為樹枝狀結構。………….…...……48
圖2-20 鍍液成份0.25 M ZnSO4+0.1 M (NH4)2SO4，電流密度=10 mA cm-2，鋅在銅基板(111)與(100)面為層狀成長。……………….…….………49
圖2-21 鍍液成份0.25 M ZnSO4 + 0.1 M (NH4)2SO4，電流密度=10 mA/cm2，鋅在銅基板(111)面沉積為六角形金字塔狀。………………….……49
圖2-22 鍍液成份0.25 M ZnSO4 + 0.1 M (NH4)2SO4，電流密度=10 mA/cm2，鋅在銅基板(110)面為脊形成長。…………………………..…….……49
圖2-23 鍍液成份0.25 M ZnSO4＋0.1 M (NH4)2SO4，直流電:交流電=10:15 mA/cm2，鋅在銅基板(111)面沉積為六角形金字塔狀。………….…50
圖2-24 鍍液成份0.25 M ZnSO4＋0.1 M (NH4)2SO4，直流電:交流電=10:20 mA/cm2，鋅在銅基板(111)面沉積為六角形金字塔狀。……….……50
圖2-25 鍍液成份0.25 M ZnSO4＋0.1 M (NH4)2SO4，直流電:交流電=10:25 mA/cm2，銅基板(111)面上六角形金字塔狀的新開始變形。...……..50
圖2-26 銅鎳多層膜成長晶面的示意圖。…………………………………......51
圖2-27 銀(100)與銀(111)在0.05 M H2SO4＋1 mM CuSO4中的循環伏特安培曲線。…………...………………………………………………...…….51
圖2-28 模擬銀(100)上第九層銅原子的STM影像：(a)由STM數據模擬之模型；(b)銅原子在兩個主要結晶方向均勻壓縮的模型。………..……52
圖2-29 失配差排平均間距與鍍層厚度的關係。……………………...……...53
圖2-30 失配度為鍍層厚度的函數。標記○代表由moir&eacute; fringes間距決定的失配度大小，標記△代表量測分離繞射點而決定的失配度。………….53
圖2-31 對銅基板分別做(a)退火(b)衝擊負荷(c)冷軋後的TEM明場像及選區電子繞射圖。………………………………………………….………54
圖2-32 鎳分別鍍在做過(a)退火(b)衝擊負荷(c)冷軋處理的銅基板之TEM明場像及選區電子繞射圖，(a)、(b)、(c)鎳層厚度皆為0.1 μm。……...….55
圖2-33 差排的明場像(a)經衝擊負荷處理的銅基板(b)鎳鍍在圖(a)的基板，厚度為0.1 μm(c)鎳鍍在圖(a)的基板，厚度為1 μm，出現許多雙晶、次晶粒；(d)鎳鍍在圖(a)的基板，厚度為10 μm，圖中可見差排及晶界。………. ………………………...…………………………………..56
圖2-34 利用電鍍方式產生鎳鍍層之結晶構造與晶界，電流密度為5 mA cm-2，(a)鍍層厚度為0.1 μm之明場像；(b)鍍層厚度為1 μm之明場像，圖中的晶界兩側差排密度不同且出現不同的顯微結構，許多缺陷和微雙晶都在此處成核；(c)鍍層厚度為1 μm之明場像，圖中晶界含有小ledge，許多差排及差排環出現在晶界兩側，晶界處的ledge可將晶粒分開，縮小應變(c圖晶界處之應變小於b圖之晶界)。………….57
圖2-35 鎳鍍層厚度為1 μm的明場像，影像是鍍層次晶粒中之{111} twin-related，箭頭表示{111}平面族較常見的方向。…..………..…..58
圖3-1 實驗流程圖。…………………………………………………...……….59
圖3-2 本研究電鍍裝置圖。…………………………………………...……….59
圖3-3 基板電流值與電源供應器輸出電流之關係。………………...……….60
圖3-4 電鍍薄膜厚度與庫倫關係圖。……………………………...………….60
圖3-5 剖面EBSD試片夾層製作，試片與銅片黏結方式示意圖。……...……61
圖4-1 銅基板的二次電子影像。(a)基板在低倍下的二次電子像(b、c)皆屬於平坦區的二次電子像(d)粗糙區的二次電子像。……………………….62
圖4-2 電量為6 C(電流密度為0.01 A/dm2)鎳鍍層的二次電子影像。(a)低倍下的二次電子像(b)包括平坦與粗糙兩區域的高倍二次電子像(c)平坦區的二次電子像(d)粗糙區的二次電子像。…………………………….62
圖4-3 電量為84 C(電流密度為1.4 A/dm2)鎳鍍層的二次電子影像。(a)低倍率的二次電子像(b)高倍率的二次電子像。…………………..……….63
圖4-4 退火銅基板，電量=6 C鎳薄膜(電流密度0.01 A/dm2)的歐傑電子全能譜。Cu代表銅基板的歐傑電子能譜；smooth、rough分別代表歐傑電子在鎳鍍層平滑、粗糙晶粒表面的能譜。…………………..……...63
圖4-5 統計電量=6 C的鍍層上(電流密度為0.01 A/dm2)100個位置，記錄平滑區與粗糙區Ni/Cu歐傑電子能峰強度的比值，smooth、rough分別代表鎳鍍層的平滑與粗糙的晶粒表面。………...………………………..64
圖4-6 退火銅基板，電量=84 C鎳薄膜(電流密度為1.4 A/dm2)的歐傑電子全能譜。Cu代表銅基板的歐傑電子能譜；smooth、rough分別代表歐傑電子在鎳鍍層平滑、粗糙晶粒表面的能譜。……………...…………....64
圖4-7 統計電量=84 C的鍍層上(電流密度為1.4 A/dm2)98個位置，平滑區與粗糙區的Ni/Cu歐傑電子能峰強度。smooth、rough分別代表鎳鍍層的平滑與粗糙的晶粒表面。………………..………………………..…….65
圖4-8 退火銅基板，電量=8 C鎳薄膜(電流密度為10 A/dm2)的歐傑電子全能譜。Cu代表銅基板的歐傑電子能譜；smooth、rough分別代表歐傑電子在鎳鍍層平滑、粗糙晶粒表面的能譜。……………………………...65
圖4-9 統計電量=8 C的鍍層上(電流密度為10 A/dm2)103個位置，平滑區與粗糙區的Ni/Cu歐傑電子能峰強度。smooth、rough分別代表鎳鍍層的平滑與粗糙的晶粒表面。……………...………………...………….66
圖4-10退火銅基板，電量=0.18 C(電流密度為0.018 A/dm2)，鍍液溫度=40 oC鎳薄膜的(a)明視野影(b)暗視野影像(c)選區繞射圖(zone axis為[001])(d)能量散佈能譜。…………….……………………………….67
圖4-11退火銅基板，電量=20 C(電流密度為20 A/dm2)，鍍液溫度=40 oC鎳薄膜in zone條件下的(a)(b)為不同區域的明視野影；(c)為圖(b)的暗視野影像(d)選區繞射圖(zone axis為[013])。………………...……….68
圖4-12退火銅基板，電量=84 C(電流密度=1.4 A/dm2)，鍍液溫度=40 oC鎳薄膜的(a)明視野影像(b)暗視野影像(c)選區繞射圖(zone axis為[013])。……………...……………………………...…………………...69
圖4-13退火銅基板，電量=20 C(電流密度=20 A/dm2)，鍍液溫度=40 oC鎳薄膜的(a)明視野影像及(b)選區繞射圖(zone axis為[011])。……...……70
圖4-14退火銅基板，電量=84 C(電流密度=1.4 A/dm2)，鍍液溫度=30 oC鎳薄膜的(a)明視野影像(b)暗視野影像(c)選區繞射圖(zone axis為[-112])(d)其他區域的明視野影像。………………………………………….......71
圖4-15退火銅基板，電量=84 C(電流密度=1.4 A/dm2)，鍍液溫度=40 oC鎳薄膜的(a)明視野影像(b)in zone條件下的暗視野影像(c)選區繞射圖。……………………………………………………...………………72
圖4-16對電量分別為840 C、2520 C、17136 C(電流密度皆為1.4 A/dm2)的試片進行In plane的EBSD分析，左中右分別為試片的二次電子影像、影像品質分佈圖及結晶方位分佈圖。………….………………....73
圖4-17電流密度10 A/dm2、電量=10.3 C電鍍Ni試片，Mapping區域示意圖。...............................................................................................………74
圖4-18 EBSD在U01橫截面位置之(a)二次電子影像(b)影像品質分佈圖(c)RD面、(d)ND面、(e)TD面的結晶方位分佈圖(f)二次電子影像中標示位置的菊池線(g)軟體判讀各個標示位置之菊池線的結果。………77
圖4-19 EBSD在U02橫截面位置之(a)二次電子影像(b)影像品質分佈圖(c)RD面、(d)ND面、(e)TD面的結晶方位分佈圖(f)二次電子影像中標示位置的菊池線(g)軟體判讀各個標示位置之菊池線的結果。……………………………………………..…………...…………81
圖4-20 EBSD在D01橫截面位置之(a)二次電子影像(b)影像品質分佈圖(c)RD面、(d)ND面、(e)TD面的結晶方位分佈圖(f)二次電子影像中標示位置的菊池線(g)軟體判讀各個標示位置之菊池線的結果。...…………84
圖4-21 EBSD在D02橫截面位置之(a)二次電子影像(b)影像品質分佈圖(c)RD面、(d)ND面、(e)TD面的結晶方位分佈圖(f)二次電子影像中標示位置的菊池線(g)軟體判讀各個標示位置之菊池線的結果。…..……….87
圖4-22 EBSD在D01橫截面位置之(a)二次電子影像(b)影像品質分佈圖(c)RD面、(d)ND面、(e)TD面的結晶方位分佈圖(f)二次電子影像中標示位置的菊池線(g)軟體判讀各個標示位置之菊池線的結果。………..….91
圖4-23電量=10.3 C(電流密度=10 A/dm2)的磊晶鎳薄膜之X光繞射圖。Cu代表無電鍍銅基板，Ni-thick代表鍍層較厚一面的鎳鍍層，Ni-thin代表鍍層較薄一面的鎳鍍層。…………………………...………………91
圖5-1 銅、鎳界面處的剖面電子顯微鏡影像，(a)明視野影像(b)暗視野影像(c)相應的示意圖。………..…………………………….…………………92
圖5-2 EBSD分析鎳鍍層橫截面所得的結晶方位分佈圖。………...…………93
圖5-3 GexSi1-x/Si應變能(f) vs.磊晶層厚度(hc)關係圖。………………………93
圖5-4 線差排的增長在界面形成失配差排。圖中a表示線差排連貫地通過界面(coherent)；hb是臨界厚度，此時FH=FD；當h>hb，(如hc)，FH>FD，因此線差排在界面處被拉長為失配差排LL’。 …………….……...….94
圖5-5 half-loop dislocation在成核、成長階段的示意圖，(a)亞臨界half-loop dislocation(b)穩定的half-loop dislocation(由於失配應力)(c)完成一個循環後，產生長度LL’的失配差排。H表示薄膜的厚度。…………..……..94
圖5-6 臨界厚度(tc) vs.晶格不匹配(f)關係圖。關係式與實驗數據、理論預測值做比較，其中實驗數據來自多個異質磊晶系統(白點為拉伸應力、黑點為壓應力)。根據理論，不考慮斜線區域(f&#8804;2×10-3以及f&#8805;2×10-2)。.....95

表目錄

表2-1 各面在不同直流與交流比例的磊晶狀況。………………...………….96
表2-2 立方晶系統中特定結晶面夾角的角度。…………………...………….96
表3-1 本研究實驗參數。…………………………………………...………….97

[1] J.W. Matthews:Epitaxial growth. Academic Press, New York, (1975), pp. 89.
[2] 余俊毅，非極性氧化鋅磊晶在鎵酸鋰基板之成長機構研究，國立中山大學材料科學研究所碩士論文，(2010)。
[3] D.R. Crow: Principles and applications of electrochemistry, 2nd ed. Chapman and Hall, London, (1979).
[4] 顏銘瑤、竇維平，IC系統封裝之銅金屬化技術的現況與未來，化工技術，第162期，第100頁 (2006)。
[5] D.A. Porter, K.E. Easterling, and M.Y. Sherif: Phase Transformations in Metals and Alloys, 3rd ed. CRC Press, Boca Raton, FL, (2009).
[6] D.R. Gaskell:Introduction to the Thermodynamics of Materials,4th ed. (2003), pp. 152.
[7] J.E. Ayers: Heteroepitaxy of semiconductors. (2006), pp. 126.
[8] L.Guo, P.C. Searson, and J. Langmuir,24, 10557 (2008).
[9] 尤光先，電鍍工程學，臺北市徐氏基金會出版，1988年。
[10] E.Gileadi, E.Kirowa-Eisner, and J.Penciner: Interfacial Electrochemistry. (1975).
[11] E.D. Eliadis, R.C. Alkire, J. Electrochem. Soc., 145, 4 (1998).
[12] D. Briggs and M.P. Seah: Practical Surface Analysis and X-ray Photoelectron Spectroscopy, 2nd ed. Chichester, (1990), pp. 10-16.
[13] V. Randle and O. Engler: Introduction To Texture Analysis. CRC Press, New York, (2000).
[14] 黃宏勝、林麗娟，工業材料雜誌，第201期 (2003)。
[15] E.D. Eliadis and R.C. Alkire, J. Electrochem. Soc., 145, 4 (1998).
[16] P. Fricoteaux and O. Savadogo, Electrochem. Acta , 44, 2927 (1999).
[17] A. Lachenwitzer, M.R. Vogt, O.M. Magnussen, and R.J. Behm, Surf. Sci., 382, 107 (1997).
[18] M.F. Ahmed, B.S. Sheshadri, and F. Pushpanaden, J. Mater. Sci., 12, 549 (1977).
[19] L. Wang, P. Fricoteaux, K. Yu-Zhang, M. Troyon, P. Bonhomme, J. Douglade, and A. Metrot. Thin Solid Films, 261, 160 (1995).
[20] M. Dietterle, T. Will, and D.M. Kolb, Surf. Sci., 396, 189 (1998).
[21] R. Randler, M. Dietterle, and D.M. Kolb, Z. Phys. Chem., 208, 43-56 (1999).
[22] E. Hahn, E. Kampshoff, N. W&auml;lchli, and K. Kern, Phys. Rev. Lett., 74, 1803 (1995).
[23] A.M. Bittner, J. Wintterlin, and G. Ertl, Surf. Sci., 376, 267 (1997).
[24] H. Li, D. Tian, J. Quinn, Y.S. Li, F. Jona, and P.M. Marcus, Phys. Rev. B, 43, 6342 (1991).
[25] D.T. Jiang, E.D. Crozier, and B. Heinrich, Phys. Rev. B, 44, 6401 (1991).
[26] W.F. Egelhoff, I. Jacob, J.M. Rudd, J.F. Cochran, and B.Heinrich, J. Vac. Sci. Technol. A, 8, 1582 (1990).
[27] W.F. Egelhoff, I. Jacob, Phys. Rev. Lett., 62, 921 (1989).
[28] J.R. Chelikowsky and M.Y. Chou, Phys. Rev. B, 38, 7966 (1988).
[29] H. L. Gaigher and G. N. Van Wyk, Thin Solid Films, 15, 163-172 (1973).
[30] L.P. Bicelli and B. Rivolta,Surf. Tech., 12, 361-376 (1981).
[31] I. Gundiler, and L.E. Murr, Thin Solid Films, 37, 387 (197 6).
[32] L.E. Murr, and O.T. Inal, Thin Solid Films, 64, 77 (1979).
[33] O.T. Inal, and L.E. Murr, Thin Solid Films, 72, 161 (1980).
[34] 易廉皓，電鍍鎳與鎳鐵合金集合組織與機械性質研究，國立中山大學材料科學研究所碩士論文，(2011)。
[35] A. Shibata, H. Noda, M. Sone, and Y. Higo, Thin Solid Films, 518, 5153-5158 (2010).
[36] K.R. Lawless, J. Vac. Sci. Technol., 2, 24 (1965).
[37] R. People and J. C. Bean, Appl. Phys. Lett., 47, 322 (1985).
[38] P.M.J. Mar&eacute;e, J.C. Barbour, J.F. van der Veen, K.L. Kavanagh, C.W.T. Bulle-Lieuwma, and M.P.A. Viegers, J. Appl. Phys., 62, 4413 (1987)